云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- VERILOG-A

VERILOG-A: 作品数：54被引量：57H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：杨银堂刘军朱樟明刘帘曦孙玲玲更多>>; 相关机构：西安电子科技大学杭州电子科技大学华中科技大学北方工业大学更多>>; 相关期刊：《微纳电子技术》《电子器件》《电子与封装》《飞机设计》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金更多>>

一种三维相变存储器1S1R存储单元电路仿真模型: 《上海交通大学学报》2022年第12期1649-1657,共9页张光明雷宇陈后鹏俞秋瑶宋志棠; 国家自然科学基金项目(61904186);上海市青年科技英才扬帆计划项目(19YF1456100);中国博士后科学基金项目(2019M660094,2021T140465)。; 三维相变存储芯片1S1R存储单元由双向阈值选通管(OTS)和相变存储器件(PCM)串联组成.为了解决现有OTS和PCM电路仿真模型不能准确模拟器件电学特性和物理特性、不适用于限制型PCM等问题,提出了一种采用Verilog-A语言实现的1S1R电路仿真模...; 关键词：相变存储器电路仿真模型双向阈值选通管 VERILOG-A

18bit 20MS/s流水线ADC架构及行为级模型设计被引量：1: 《电子与封装》2022年第2期54-59,共6页杨迎黎飞刘颖异唐旭升苗澎; 国家重点研发计划(2018YFB2003302)。; 为了设计出满足高端仪器仪表、电子通信设备等应用需求的高速高精度模数转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC),提出了一种精度为18 bit、采样率为20 MS/s的流水线ADC架构。使用Verilog-A语言对每一级流水级中的子模数转换电路(Sub-A...; 关键词：流水线ADC VERILOG-A ADC架构行为级模型非理想因素

一种分数阶忆阻器的Verilog-A模型及应用: 《微电子学》2021年第4期563-569,共7页甘朝晖杨骁尚涛张士英; 国家自然科学基金资助项目(61702385)。; 近年来,科研人员为研究忆阻器的电气特性及其在电路中的应用,建立了多种整数阶忆阻器的Verilog-A模型,但分数阶忆阻器的Verilog-A模型还未见报道。文章提出了一种分数阶忆阻器的Verilog-A模型,对其相关特性进行了分析,总结了参数对忆阻...; 关键词：分数阶忆阻器脉冲宽度调制 Verilog-A模型

基于Verilog-A的陀螺仪接口电路模型及行为仿真被引量：2: 《电子测试》2021年第2期63-66,共4页范艺晖孟真张兴成韩世鹏吴健文; 本文分析了MEMS陀螺仪的工作原理,基于Verilog-A硬件描述语言建立了环形二极管解调的陀螺仪接口电路模型,并对电路进行了行为级仿真和实验验证。接口电路模型中的所有模块性能指标由计算推导得出,通过Verilog-A语言定义。本文还研究了...; 关键词：陀螺仪接口电路环形二极管解调 VERILOG-A 行为级仿真

一种基于BSIM4的屏蔽栅沟槽MOSFET紧凑型模型被引量：1: 《物理学报》2020年第17期201-212,共12页江逸洵乔明高文明何小东冯骏波张森张波; 提出了一种基于BSIM4的屏蔽栅沟槽MOSFET紧凑型模型.在直流模型中使用两端电势建立JFET区等效电阻模型,并引入电子扩散区等效电阻,解决了因忽视JFET区源端电势导致的电流存在误差的问题.在电容模型中,漏源电容模型在BSIM4的基础上添加...; 关键词：屏蔽栅沟槽MOSFET 紧凑型模型 BSIM4 VERILOG-A

基于Verilog-A的两点调制锁相环综合实验设计: 《数字技术与应用》2018年第9期101-103,105,共4页周冉冉王永; 山东大学教学改革项目(SD201706); 两点调制是近年来锁相环芯片研究的热点问题,是一种解决调制带宽限制、实现全通传输的有效新方法。为了让学生深入理解锁相环两点调制的工作机理,本实验首先对锁相环进行Verilog-A行为级建模,以帮助学生快速了解锁相环的动态锁定过程。...; 关键词：锁相环 VERILOG-A 两点调制二进制频移键控

基于Verilog-A的流水线型ADC数字校正技术仿真平台: 《微处理机》2018年第2期42-46,共5页宫月红张少君罗敏王明雨刘冰冰; 为了对流水线型ADC数字校正技术进行研究,提出了一种基于Verilog-A的行为级仿真平台。在该平台中,采用Verilog-A语言对流水线型ADC中各个组成模块进行建模、采用Volterra级数对系统误差进行模拟、采用Verilog语言对数字校正算法进行建...; 关键词：Verilog-A语言仿真平台流水线型ADC 数字校正 VOLTERRA级数

SOI NMOS侧壁晶体管总剂量辐射效应电流模型被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2018年第1期70-74,共5页许灵达罗杰馨陈静何伟伟吴伟; 国家自然科学基金资助项目(61404151);国家自然科学基金资助项目(61574153); 针对绝缘体上硅(SOI)NMOS侧壁晶体管的电流特性研究,利用Verilog-A语言建立了一个含有漏致势垒降低(DIBL)效应的侧壁晶体管电流模型。进一步基于SOI NMOS总剂量辐射效应机理将总剂量辐射效应引入该模型。新建立的侧壁晶体管电流模型既...; 关键词：绝缘体上硅侧壁晶体管 VERILOG-A 总剂量效应电流模型

Multi-Dimensional Models of SiC Power MOSFET for Accurately Predicting the Characteristics被引量：1: 《CES Transactions on Electrical Machines and Systems》2017年第3期300-305,共6页Shen Diao Hong Chen Yanhu Chen Yun Bai Chengyue Yang Xinyu Liu Chengzhan Li Zhengdong Zhou; This work was supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant 51490681.; The paper presents a compact simulation program with integrated circuit emphasis(SPICE)model for a 1200V/19A Silicon Carbide power metallic oxide semiconductor field effect transistor(MOSFET).Based on an equivalent ci...; 关键词：DYNAMIC MODEL SIC MOSFET VERILOG-A

Modeling and simulation of enhancement mode p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMT for RF circuit switch applications被引量：5: 《Journal of Semiconductors》2017年第6期52-57,共6页D.K.Panda T.R.Lenka; TEQIP-II funded Silvaco TCAD;SMDP-II funded Cadence Tool in Department of Electronics and Communication Engineering,NIT Silchar for carrying out the research work; An enhancement mode p-GaN gate AlGaN/GaN HEMT is proposed and a physics based virtual source charge model with Landauer approach for electron transport has been developed using Verilog-A and simulated using Cadence Sp...; 关键词：CLM DIBL GaN HEMT SPST VERILOG-A

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