CMOS/SOI

作品数：27被引量：36H指数：4
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CMOS/SOI工艺触发器单元的单粒子实验验证与分析被引量：3
《北京理工大学学报》2018年第1期63-67,共5页李海松 蒋轶虎 杨博 岳红菊 唐威 
针对定制设计中的触发器单元,提出了一种双移位寄存器链单粒子实验验证方法,利用该方法对基于0.35μm CMOS/SOI工艺、普通结构设计的抗辐射触发器,分别在北京串列加速器核物理国家实验室和兰州重离子加速器国家实验室进行了单粒子实验....
关键词：抗辐射集成电路 双移位寄存器链 CMOS/SOI 单粒子效应 单粒子闩锁单 粒子翻转 
部分耗尽PD CMOS/SOI器件SEU模型分析
《微电子学与计算机》2010年第12期138-141,共4页贺威 张正选 
通过计算机模拟分析CMOS/SOI器件中单粒子效应的影响,采用二维模拟软件MEDICE,建立了器件发生单粒子效应时内部电荷的分布模型.利用电荷分布模型建立了CMOS/SOI器件在入射不同LET值时的离子与器件中瞬态电流的关系曲线;并建立了离子入...
关键词：单粒子翻转 绝缘体上硅 模型 
亚微米PD CMOS/SOI工艺及H栅单边体引出研究
《微电子学》2010年第3期448-453,共6页李宁 刘存生 孙丽玲 薛智民 
研究开发了0.4μm PD CMOS/SOI工艺,试制出采用H栅双边体引出的专用电路。对应用中如何克服PD SOI MOSFET器件的浮体效应进行了研究;探讨在抑制浮体效应的同时减少对芯片面积影响的途径,对H栅双边体引出改为单边体引出进行了实验研究。...
关键词：亚微米工艺 H栅 PDCMOS/SOI 浮体效应 单边体引出 
环栅结构CMOS/SOI器件SPICE模型研究被引量：1
《半导体技术》2010年第6期542-545,共4页贺威 张正选 
建立了环栅结构的CMOS/SOI器件的SPICE模型,可以对抗辐照设计中环栅结构的CMOS/SOI器件计算其等效宽长比,将环栅器件转换为等效宽度和长度的条栅器件;以及对体接触电阻等其他受影响的SPICE模型参数做出调整,使其电学特性模拟达到最准确...
关键词：环栅 绝缘体上硅 SPICE模型 宽长比 体接触 
非规则栅结构PD CMOS/SOI器件SPICE模型参数分析
《微电子学》2010年第3期411-415,共5页贺威 张正选 
针对抗辐照设计中特殊非规则条栅栅结构的CMOS/SOI器件,分析其SPICE模型参数,对源漏电阻、电容、体接触电阻等其他模型参数作出调整,建立非标准器件的完整精确模型。设计制作了多种不同非标准栅结构的PD CMOS/SOI晶体管,并采用新的SPIC...
关键词：非规则栅 绝缘体上硅 SPICE模型 体接触 
0.8μm CMOS/SOI模型参数提取
《微处理机》2009年第5期7-8,共2页孙大成 陈智 
0.8μm CMOS/SOI的模型参数提取是基于0.8μm CMOS/SOI工艺,选用HSPICE中的level 57模型。介绍了测试图形的设计经验,分析了SOI器件与体硅器件之间模型的差异,最后给出测试数据及参数测试结果的拟合情况。
关键词：绝缘体上硅(SOI) 模型参数提取 拟合 
薄膜全耗尽CMOS/SOI器件研究被引量：1
《浙江工业大学学报》2007年第6期650-653,共4页颜志英 王雄伟 丁峥 
浙江省自然科学基金资助项目(Y105607)
在对全耗尽SOIMOS器件进行了大量研究的基础上,采用金属栅工艺,并采用了LDD结构以减小热载流子效应,防止漏的击穿,还采用了突起的源漏区,以增加源漏区的厚度并减小源漏区的串联电阻,以增强器件的电流驱动能力,降低了寄生电阻,减小了静...
关键词：双多晶硅栅 LDD结构 SOICMOS器件 
环栅CMOS/SOI的X射线总剂量辐射效应研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2007年第3期314-316,334,共4页贺威 张恩霞 钱聪 张正选 
采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)绝缘体上硅(SOI)材料作出改性,分别在改性材料和标准SIMOXSOI材料上制作部分耗尽环型栅CMOS/SOI器件,并采用10keVX射线对其进行了总剂量辐照试验。实验表明,同样的辐射总剂量条件下,采用改性材料制...
关键词：注氧隔离 绝缘体上硅 总剂量辐射效应 
部分耗尽环栅CMOS/SOI总剂量辐射效应研究
《功能材料与器件学报》2006年第4期313-316,共4页贺威 张恩霞 钱聪 张正选 
采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)材料进行改性,在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅CMOS/SOI反相器,并对其进行60Coγ射线总剂量辐照试验。结果表明,受到同样总剂量辐射后,改性材料制作的反相器与标准SIMOX材料制作...
关键词：离子注入 注氧隔离 绝缘体上硅(SOI) 总剂量辐射效应 
一种CMOS/SOI八位A/D转换器
《中国集成电路》2002年第12期73-74,79,共3页张正璠 刘永光 李肇基 
本文设计了一种8位A/D转换器,该转换器采用半闪烁型结构,由两个4位全并行A/D转换器实现8位转换,电路中的比较器用斩波稳零型结构,具有结构简单和失调补偿功能。研究了SOI CMOS电路的背栅偏置结构,电路制作工艺采用全耗尽CMOS/SOI工艺技...
关键词：转换器 比较器 量化器 模拟电路 工艺技术 转换速度 全耗尽 栅偏置 抗辐照能力 触发器 
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