部分耗尽PD CMOS/SOI器件SEU模型分析  

Analyses of SEU Model for PD CMOS/SOI

作　　者：贺威[1] 张正选[2] 

机构地区：[1]深圳大学电子科学与技术学院,广东深圳518060 [2]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

出　　处：《微电子学与计算机》2010年第12期138-141,共4页Microelectronics & Computer

摘　　要：通过计算机模拟分析CMOS/SOI器件中单粒子效应的影响,采用二维模拟软件MEDICE,建立了器件发生单粒子效应时内部电荷的分布模型.利用电荷分布模型建立了CMOS/SOI器件在入射不同LET值时的离子与器件中瞬态电流的关系曲线;并建立了离子入射点的不同位置与瞬态电流的关系曲线.从理论上提供了一种分析器件SEU的手段.We have investigated the mechanisms of single event effect for CMOS/SOI device and the charge distribution induced by ions strike has been analyzed using a 2D finite element simulation.A model for SEU induced leakage in CMOS/SOI transistors is presented.MEDICI was used to discuss the SEU caused by all kinds of the ions strike.The results of simulation are consistent with the model of charging funnel.

关 键 词：单粒子翻转 绝缘体上硅 模型 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学] TN405