100mm InGaP/GaAs HBT及相关电路关键工艺  

Key Processes for Fabrication of Self-Aligned InGaP/GaAs HBT Device and Circuit

作　　者：石瑞英[1] 孙海锋[2] 刘训春[2] 刘洪民[2] 

机构地区：[1]四川大学物理系,成都610064 [2]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第1期106-110,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展计划资助项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 40 3 )~~

摘　　要：对 10 0mmIn0 .49Ga0 .51P/GaAsHBT器件及相关电路制备中的In0 .49Ga0 .51P腐蚀问题、聚酰亚胺平面化、空气桥等几项关键工艺进行了研究 ,解决了器件及电路制备过程中出现的难题 ,尤其是用很简单的方法解决了In0 .49 Ga0 .51P腐蚀过程中经常出现的腐蚀“岛”问题 。The key process-InGaP etching,polymide planarization process,and air-bridge for fabrication of self-aligned InGaP/GaAs HBT devices and circuits are studied.The problems,especially the formation of the “island” nearby the emitter contact during the etching of InGaP,are resolved.InGaP/GaAs HBT devices and circuits with good performances have been obtained.

关 键 词：In0.49Ga0.51P腐蚀 聚酰亚胺平面化 空气桥 

分 类 号：TN385[电子电信—物理电子学]