全耗尽CMOS/SOI工艺  

Fully Depleted CMOS/SOI Technology

作　　者：刘新宇[1] 孙海峰[1] 刘洪民[1] 陈焕章[1] 扈焕章[1] 海潮和[1] 和致经[2] 吴德馨[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子中心,北京100029 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第1期104-108,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：对全耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :氮化 H2 - O2 合成薄栅氧、双栅和注 Ge硅化物等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 (包括 10 1级环振、2 0 0 0门门海阵列等 ) ,其中 ,n MOS:Vt=0 .7V,Vds=4 .5～ 5 .2 V,μeff=4 6 5 cm2 / (V· s) ,p MOS:Vt=- 0 .8V ,Vds=- 5～ - 6 .3V,μeff=2 6 4 cm2 / (V· s) .当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm环振单级延迟为 4 5The fully depleted CMOS/SOI technology are studied.A set of FD CMOS/SOI radiant technology are obtained.In particular,the key technolgy includes nitrided thin gate oxide grown in H 2-O 2 ambient,new double-gate and Ti-SALICIDE using Ge preamorphization.The well-behaved characteristics of devices and circuits are abtained,nMOS: V t=0.7V, V ds =4.5～5.2V, μ eff =465cm 2/(V·s),pMOS: V t=-0.8V, V ds =-5～-6.3V, μ eff =264cm 2/(V·s).The propagation delay per-stage of 101-stage 0.8μm CMOS/SOI ring oscillator is 45ps with 5V supply voltage.

关 键 词：全耗尽 CMOS SOI工艺 氮化H2-O2合成薄栅氧 双栅 注Ge硅化物 注锗 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]