提高SOI器件和电路性能的研究  

Study of Improved Performance of SOI Devices and Circuits

作　　者：海潮和[1] 韩郑生[1] 周小茵[1] 赵立新[1] 李多力[1] 毕津顺[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京,100029 中国科学院微电子研究所,北京,100029 中国科学院微电子研究所,北京,100029 中国科学院微电子研究所,北京,100029 中国科学院微电子研究所,北京,100029 中国科学院微电子研究所,北京,100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期322-327,共6页半导体学报（英文版）

摘　　要：在分析SOI器件的浮体效应、击穿特性、背栅阈值、边缘漏电、ESD及抗辐照特性的基础上,提出了提高SOI器件和电路性能的技术途径.体接触是防止浮体效应的最好方法;正沟道和背沟道的BF2/B离子注入可以分别满足阈值和防止背栅开启的需要;SOI器件栅电极的选取严重影响器件的性能;源区的浅结有助于减小寄生npn双极晶体管的电流增益;而自对准硅化物技术为SOI器件优良特性的展现发挥了重要作用.研究发现,采用综合加固技术的nMOS器件,抗总剂量的水平可达1×106rad(Si).

关 键 词：SOI 浮体效应 沟道 抗辐照 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]