CMOS/SOI64-kB SRAM抗ESD实验  

Electrostatic Discharge Experiment for CMOS/SOI 64-kB SRAM's

作　　者：汤仙明[1] 韩郑生[1] 周小茵[1] 海潮和[1] 赵立新[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《微电子学》2004年第6期636-639,共4页Microelectronics

摘　　要：　设计了一种SOI栅控二极管结构的ESD保护电路,并将其应用到64kBSRAM电路上,进行了管脚摸底实验和电路的整体抗静电实验。通过实验,研究了ESD保护电路各项参数对ESD性能的影响。实验结果表明,这种结构的ESD保护电路的抗ESD能力达到了设计要求。An ESD protection circuit with SOI gated diodes is presented, which is used in a 64-kB SRAM for an anti-ESD experiment. Based on the experiment, effects of different parameters of the protection circuit on its anti-ESD capability are investigated. Results from the experiment show that the circuit has a good performance with respect to anti-ESD capability.

关 键 词：SOI ESD 栅控二极管 SRAM 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]