质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响  

Effects of Time-Dependent Dielectric Breakdown of 130nm PD-SOI MOS Device Irradiated by Proton

作　　者：马腾 崔江维[1,2,3] 郑齐文[1,2,3] 魏莹[1,2,3] 赵京昊 梁晓雯 余学峰[1,2,3] 郭旗[1,2,3] 

机构地区：[1]中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011 [2]中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011 [3]新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011 [4]中国科学院大学,北京100049

出　　处：《现代应用物理》2017年第4期48-51,共4页Modern Applied Physics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11475255;11505282)

摘　　要：利用10 MeV质子对130nm部分耗尽SOI MOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响。结果表明:质子辐照器件时,在Si-SiO_2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势垒高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命。In this paper,the 130 nm partially depleted sillicon on insulator(PD-SOI)metal oxide semiconductor(MOS)is irradiated by proton with energy of 10 MeV,and the subsequent time-dependent dielectric breakdown(TDDB)and the radiation-induced leakage current(RILC)of the PD-SOI MOS are obtained.The results show that when the proton irradiated the device,the radiation-induced trap charge generated at the interface between Si and SiO_2 increases the barrier height of the electron transition,reduces the injection of charge into the gate,and thus reducing the RILC of the device,and increasing the life of TDDB.

关 键 词：辐射诱导泄漏电流 栅氧经时击穿 可靠性 质子辐照 部分耗尽SOI 

分 类 号：TN30[电子电信—物理电子学]