BJMOSFET

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相关期刊：《微电子学》《Semiconductor Photonics and Technology》《Journal of Semiconductors》《Journal of Electronics(China)》更多>>
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深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET的二维电流模型
《微电子学》2009年第5期684-688,共5页张燕 高有堂 曾云 
建立了深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET器件的二维电流模型;运用HSPICE软件,模拟得到其电流-电压特性曲线。与相同条件下的全耗尽SOI MOSFET相比,该新型SOI器件具有更大的电流输出,是一种直流性能优异的新型SOI器件。
关键词：深亚微米 全耗尽 SOI BJMOSFET 二维电流模型 
光敏BJMOSFET的物理模型及数值模拟被引量：1
《湖南大学学报（自然科学版）》2009年第5期47-50,共4页曾云 谢海情 曾健平 张国梁 王太宏 
湖南省研究生科研创新项目资助;湖南省科技计划项目资助(2008FJ3123)
基于SOI薄膜,提出一种引入P+N注入结的光敏BJMOSFET(Bipolar JunctionMetal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)结构.在此光敏器件中,栅电压使薄膜耗尽但不反型,光生载流子的复合可以忽略.根据基本的半导体方程,建立该器件...
关键词：光电晶体管 BJMOSFET 物理模型 数值模拟 
短沟道SOI BJMOSFET的阈值电压
《功能材料与器件学报》2008年第4期831-834,共4页曾云 李晓磊 张燕 张国樑 王太宏 
湖南省自然科学基金计划资助(No.05JJ30115)
提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET阈值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Math-ematica软件进行数值模拟得到阈值电压的特性曲线。通过理论分...
关键词：短沟道 绝缘衬底上硅 双极MOS场效应晶体管 阈值电压 
RESEARCH OF BJMOSFET FREQUENCY CHARACTERISTICS
《Journal of Electronics(China)》2006年第4期590-593,共4页Zeng Yun Yang Hongguan Shang Yuquan Li Xiaolei Zhang Yan Wu Yonghui 
Supported by the Hunan Provincial Natural Science Foundation (No.05JJ30115).
The parasitic capacitance effect and its influence to the performance have been investigated in Bi-polar Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (BJMOSFET). The frequency characteristic equivalent c...
关键词：Bipolar Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor （BJMOSFET） Frequency characteristic High frequency device PSPICE 
Temperature Characteristics of BJMOSFET
《Semiconductor Photonics and Technology》2005年第2期89-93,共5页ZENGYun YANMin YANGHong-guan GAOYun 
The resolution expression for the temperature dependence of the current and threshold voltage is deduced as well as the analysis of temperature characteristics of BJMOSFET. Equivalent circuit of analysis and simulatio...
关键词：BJMOSFET temperature characteristic ANALYSIS SIMULATION 
BJMOSFET频率特性的模拟分析被引量：2
《湖南大学学报（自然科学版）》2005年第1期33-36,共4页曾云 尚玉全 晏敏 盛霞 滕涛 高云 
提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOS FET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法...
关键词：双极MOS场效应晶体管 频率特性 模拟分析 
BJMOSFET温度特性分析及计算机模拟被引量：1
《电子器件》2004年第3期493-497,共5页曾云 高云 晏敏 盛霞 滕涛 尚玉全 
对兼有双极型和场效应型两种器件特点的双极 MOS场效应晶体管 ( BJMOSFET)的电流和阈值电压的温度特性进行了详细分析 ,推导出它们随温度变化率的解析表达式。建立 BJMOSFET的直流小信号模拟分析等效电路和频率特性模拟分析等效电路 ,...
关键词：双极MOS场效应晶体管 温度特性 理论分析 计算机模拟 
BJMOSFET静态特性的解析模型及模拟分析
《功能材料与器件学报》2001年第2期167-170,182,共5页金湘亮 曾云 颜永红 成世明 龚磊 盛霞 樊卫 
建立了新型半导体功率器件—双极型压控晶体管（ BJMOSFET）的直流解析模型，通过提取模型参数，运用电路模拟软件 PSPICE的多瞬态分析法对 BJMOSFET的直流特性进行了模拟，分析得出这种新型器件在相同结构参数和同等外界条件下与传统 M...
关键词：BJMOSFET 静态特性 PSPICE 模拟分析 解析模型 
Numerical Simulation of BJMOSFET on Current- Voltage Characteristics被引量：5
《Journal of Semiconductors》2000年第11期1069-1074,共6页曾云 金湘亮 颜永红 刘久玲 成世明 
A new power MOSFET Structure with a pn junction——Bipolar Junction MOSFET(BJMOSFET) has been proposed.The device has the advantages of both BJT and FET. The numerical model of the I V characteristics of BJMOSFET has ...
关键词：数值估计 BJMOSFET 电压控制 双极 特性 
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