张国梁

作品数：4被引量：14H指数：2
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供职机构：湖南大学物理与微电子科学学院更多>>
发文主题：ESD静电放电HEMTGAN放大器设计更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电子科技大学学报》《电子学报》《湖南大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金湖南省自然科学基金国家重点基础研究发展计划湖南省研究生科研创新项目更多>>
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LDMOS-SCR ESD器件漂移区长度对器件性能的影响被引量：2
《固体电子学研究与进展》2015年第6期572-578,共7页鄢永明 曾云 夏宇 张国梁 
中国自然科学基金资助项目(No.61350007)
采用软件仿真一系列的横向扩散金属氧化物半导体(Laterally diffused metal oxide semiconductor,LDMOS)可控硅(Silicon controlled rectifier,SCR)静电放电(Electrostatic discharge,ESD)保护器件,获取工作状态的I-V曲线。结果表明,随...
关键词：静电放电保护 静电放电鲁棒性 可控硅 闩锁 维持电压 失效电流 
维持电压和失效电流线性可调节的高压ESD器件被引量：3
《电子科技大学学报》2015年第5期700-704,共5页鄢永明 曾云 夏宇 张国梁 
国家自然科学基金(61350007)
为了研究可控硅结构的静电释放保护器件结构尺寸与性能的关系,采用0.5μm的5 V/18 V CDMOS工艺流片两组SCR ESD器件,使用传输线脉冲测试系统测试器件的性能参数。实验结果表明,随着N阱内P+区和P阱内N+区间距从6μm增加到22μm,ESD器件...
关键词：静电放电 失效电流 维持电压 可控硅 
基于GaN HEMT的1.5-3.5GHz宽带平衡功率放大器设计被引量：8
《电子学报》2013年第4期815-820,共6页冷永清 张立军 曾云 鲁辉 郑占旗 张国梁 彭伟 彭亚涛 官劲 
国家973重点基础研究发展计划(No.2010CB327506);国家自然科学基金(No.61040061);湖南省自然科学基金(No.11JJ2034)
阐述了基于GaN HEMT的宽带平衡功率放大器的设计与实现方法:采用Lange耦合器构建平衡功率放大器结构,采用多节阻抗匹配技术设计输入/输出匹配网络,实现功放宽带特性(1.5-3.5GHz);采用与Si热膨胀系数接近的AlSiC散热载片,克服管芯与载片...
关键词：宽带功率放大器 GAN HEMT 平衡功率放大器 
光敏BJMOSFET的物理模型及数值模拟被引量：1
《湖南大学学报（自然科学版）》2009年第5期47-50,共4页曾云 谢海情 曾健平 张国梁 王太宏 
湖南省研究生科研创新项目资助;湖南省科技计划项目资助(2008FJ3123)
基于SOI薄膜,提出一种引入P+N注入结的光敏BJMOSFET(Bipolar JunctionMetal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)结构.在此光敏器件中,栅电压使薄膜耗尽但不反型,光生载流子的复合可以忽略.根据基本的半导体方程,建立该器件...
关键词：光电晶体管 BJMOSFET 物理模型 数值模拟 
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