张国樑

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：湖南大学微电子研究所更多>>
发文主题：阈值电压传感器研究信噪比动态范围有源像素传感器更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《功能材料与器件学报》《传感器与微系统》更多>>
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短沟道SOI BJMOSFET的阈值电压
《功能材料与器件学报》2008年第4期831-834,共4页曾云 李晓磊 张燕 张国樑 王太宏 
湖南省自然科学基金计划资助(No.05JJ30115)
提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET阈值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Math-ematica软件进行数值模拟得到阈值电压的特性曲线。通过理论分...
关键词：短沟道 绝缘衬底上硅 双极MOS场效应晶体管 阈值电压 
基于0.25μm工艺的低压有源像素传感器研究被引量：1
《传感器与微系统》2008年第6期15-17,共3页李晓磊 曾云 张国樑 彭琰 王太宏 
湖南省自然科学基金资助项目(05JJ30115)
提出了用PMOSFET代替传统的有源像素传感器(APS)中的NMOSFET作为复位晶体管,优化设计CMOS有源像素图像传感器,用0.25μm CMOS工艺进行仿真,结果表明:在相同的条件下,这种器件比传统APS拥有更高的信噪比、更大的输出电压摆幅、更大的动...
关键词：阈值电压 信噪比 动态范围 有源像素传感器 
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