短沟道

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基于多维优化策略的28nm节点MOSFET短沟道效应抑制研究
《信息记录材料》2025年第3期42-45,共4页邱雨辰 张乔峰 蒋本福 潘欣欣 
珠海科技学院线下一流课程项目(ZLGC20220106);珠海科技学院专业负责人培养项目。
本研究提出一种基于多维优化策略的28 nm节点金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)短沟道效应抑制方法。通过计算机辅助设计仿真和机器学习辅助分析,系统研究栅氧化层材料、厚度、...
关键词：多维优化策略 短沟道效应 漏致势垒降低效应 亚阈值摆幅 栅介质层 机器学习 
渐变组分背势垒GaN HEMT器件特性研究
《微波学报》2025年第1期26-31,共6页张瑞浩 万发雨 徐儒 徐佳闰 李月华 宋润陶 
国家重点研发计划(2022YFE0122700)。
高频氮化镓微波功率器件的短沟道效应是限制其射频性能的重要原因,通常采用背势垒结构来提高二维电子气的限域性,抑制短沟道效应。然而背势垒层的加入会增加寄生电阻与栅极电容,使电流增益截止频率f_(t)与最大震荡频率f_(max)降低。因此...
关键词：氮化镓基高电子迁移率晶体管器件 渐变组分背势垒结构 短沟道效应 二维电子气限域性 
集成侧墙技术的80nm栅GaN HEMT
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第9期1044-1050,共7页孔欣 
目前业界主要采用电子束曝光技术制作高频氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的深亚微米T型栅,存在效率低下、良率不足和成本较高的问题。本文采用集成侧墙技术,在6英寸工业化产线上首次成功制造了纯光学曝光的80 nm T型栅GaN HEMT,并...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 光学栅 侧墙 短沟道效应 深亚微米 
二维钙钛矿氧化物光敏高κ电介质
《科学通报》2024年第21期3067-3069,共3页李思远 刘欣亚 方晓生 
数十年来,芯片技术的发展推动着芯片晶体管的尺寸持续缩小,传统硅基晶体管正在接近其物理极限,晶体管尺寸的进一步缩小伴随着一系列重大挑战.二维半导体材料具有原子级厚度和独特的物理化学性质,有望避免短沟道效应,是光电子器件微型化...
关键词：光电子器件 短沟道效应 原子级 钙钛矿氧化物 物理极限 电介质 晶体管 物理化学性质 
渐变沟道全耗尽SOI MOSFET漏致势垒降低效应研究
《宝鸡文理学院学报（自然科学版）》2024年第2期57-60,66,共5页张冰哲 辛艳辉 
国家自然科学基金项目(U2241221)。
目的 集SOI MOSFET(绝缘衬底上的硅金属氧化物半导体场效应晶体管)器件结构与渐变沟道的优点于一体,提出渐变沟道全耗尽SOI MOSFET器件结构,以提高MOSFET器件的微观物理性能。方法 分别列出沟道不同掺杂浓度的2个区域的泊松方程并求解,...
关键词：渐变沟道 金属氧化物半导体场效应晶体管 漏致势垒降低 短沟道效应 
基于0.15μm SOI工艺的耐高温短沟器件设计与实现
《固体电子学研究与进展》2024年第3期258-263,共6页顾祥 张庆东 纪旭明 李金航 常瑞恒 
国家重点研发计划资助项目(2021YFB3202700)。
绝缘体上硅(Silicon on insulator,SOI)技术在200~400℃高温器件和集成电路方面有着广泛的应用前景,但对于沟道长度≤0.18μm的短沟道器件在200℃以上的高温下阈值电压漂移量达40%以上,漏电流达μA级,无法满足电路设计要求。本文研究了...
关键词：绝缘体上硅 阈值电压 漏电流 短沟道 栅诱导漏极泄漏电流 
基于BSIM⁃CMG紧凑模型的NSFET直流特性建模
《半导体技术》2024年第5期442-448,共7页陈光前 王悦杨 唐敏 刘伟景 
国家自然科学基金(62174055)。
随着半导体制造工艺技术的发展,纳米片场效应晶体管(NSFET)成为下一代集成电路的核心器件,建立能准确描述NSFET特性的SPICE模型对提高基于NSFET的集成电路设计的成功率和缩短先进工艺的开发周期至关重要。结合Sentaurus TCAD仿真与伯克...
关键词：纳米片场效应晶体管(NSFET) TCAD 伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM⁃CMG)紧凑模型 直流特性 参数提取 
短沟道负电容GAAFET的物理解析模型的理论推导
《大学物理》2024年第4期36-39,55,共5页白刚 陈成 
国家自然科学基金(51602159);南京邮电大学校级自然科学基金(NY222128)资助。
围栅场效应晶体管的EDA设计软件是我国芯片产业“卡脖子”的关键技术之一,已经受到科学界与产业界的高度重视.本文首先通过合理近似推导出传统短沟道GAAFE的物理解析模型,然后在此基础上通过增加铁电层推导出负电容GAAFET的物理解析模型...
关键词：负电容 围栅场效应晶体管 短沟道 铁电 
15 nm Bulk nFinFET器件性能研究及参数优化
《强激光与粒子束》2024年第3期92-99,共8页侯天昊 范杰清 赵强 张芳 郝建红 董志伟 
为研究Bulk FinFET工作时基本结构参数、器件温度和栅极材料对其性能的影响,建立了一个15 nm n型Bulk FinFET器件模型,仿真分析了不同栅长、鳍宽、鳍高、沟道掺杂浓度、器件工作温度、栅极材料对器件性能的影响,发现增长栅长、降低鳍宽...
关键词：Bulk FinFET 短沟道效应 器件性能 参数优化 栅极材料 
“高密度有机封装基板”专题前言
《电子与封装》2024年第2期I0002-I0003,共2页李轶楠 
高性能计算、人工智能、5G通信和云计算的快速发展使芯片制程节点持续演进,短沟道效应以及量子隧穿效应带来的发热、漏电问题愈发严重,芯片设计及制造成本不断上升,追求经济效能的摩尔定律日趋放缓。在逼近物理极限的后摩尔时代,人们开...
关键词：高性能计算 摩尔定律 物理极限 人工智能 云计算 量子隧穿效应 短沟道效应 先进封装 
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