基于0.25μm工艺的低压有源像素传感器研究  

Research on low-voltage APS based on 0.25μm technology

作　　者：李晓磊[1] 曾云[1] 张国樑[1] 彭琰[1] 王太宏[1] 

机构地区：[1]湖南大学微电子研究所

出　　处：《传感器与微系统》2008年第6期15-17,共3页Transducer and Microsystem Technologies

基　　金：湖南省自然科学基金资助项目(05JJ30115)

摘　　要：提出了用PMOSFET代替传统的有源像素传感器(APS)中的NMOSFET作为复位晶体管,优化设计CMOS有源像素图像传感器,用0.25μm CMOS工艺进行仿真,结果表明:在相同的条件下,这种器件比传统APS拥有更高的信噪比、更大的输出电压摆幅、更大的动态范围和更快的读出速度。That a PMOSFET is used to substitute the NMOSFET in APS as reset transistor is presented. By optimizing and simulating based on the 0.25 μm CMOS technology, the results show that the new structure has higher signal-to-noise ratio, wider output swing, wider dynamic range and faster readout speed under the same condition.

关 键 词：阈值电压 信噪比 动态范围 有源像素传感器 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]