李瑞贞

作品数：8被引量：6H指数：1
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：SOI遗传算法阈值电压BSIMSOI_MOSFET更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电子器件》《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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全耗尽SOIMOSFET阈值电压解析模型
《功能材料与器件学报》2007年第1期73-77,共5页李瑞贞 李多力 杜寰 海潮和 韩郑生 
提出了一种简化的全耗尽SOIMOSFET阈值电压解析模型。该模型物理意义明确,形式简单,不需要非常复杂的计算。通过在不同条件下将本文的模拟结果和MED ICI模拟结果进行对比,验证了本模型的精确性。因此本模型对于器件物理特性的研究和工...
关键词：全耗尽SOI MOSFET 阈值电压 模型 
绝缘体上硅动态阈值nMOSFETs特性研究(英文)被引量：1
《电子器件》2007年第1期5-8,共4页毕津顺 吴峻峰 李瑞贞 海潮和 
基于绝缘体上硅技术,提出并研制动态阈值nMOSFETs结构.阐述了动态阈值nMOSFETs的工作原理.动态阈值nMOSFETs的阈值电压从VBS=0V时的580mV动态变化到VBS=0.6V时的220mV,但是这种优势并没有以增加漏电流为代价.因此动态阈值nMOSFETs的驱...
关键词：绝缘体上硅 动态阈值 浮体 
BSIM SOI阈值电压模型参数的提取被引量：1
《电子器件》2007年第1期33-36,共4页李瑞贞 李多力 杜寰 海潮和 韩郑生 
阈值电压是MOSFET最重要的参数,阈值电压模型是MOSFET模型中最重要的部分.目前模型参数的提取主要通过商业软件来完成,商业软件由于价格昂贵以及内部机理的复杂性限制了它们的应用.本文提出了遗传算法和局部优化相结合来提取BSIMSOI阈...
关键词：SOI 参数提取 阈值电压 遗传算法 
SOI MOSFET Model Parameter Extraction via a Compound Genetic Algorithm被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第5期796-803,共8页李瑞贞 李多力 杜寰 海潮和 韩郑生 
We improve the genetic algorithm by combining it with a simulated annealing algorithm. The improved algorithm is used to extract model parameters of SOI MOSFETs, which are fabricated with standard 1.2μm CMOS/SOI tech...
关键词：SOI parameter extraction genetic algorithm simulated annealing algorithm 
基于BSIM3V3的部分耗尽SOIMOSFET解析模型(英文)
《功能材料与器件学报》2006年第1期67-70,共4页李瑞贞 韩郑生 
提出了部分耗尽SOIMOSFET物理模型,SOIMOSFET可以看作体硅MOSFET和双极晶体管的结合,模型通过详细地分析SOI器件在各工作区域的工作机理得出,并提取出了相应的模型参数。用本模型得出的模拟数据与器件模拟数据进行了对比,取得了很好的...
关键词：SOI MOSFET 物理模型 参数提取 
An Analytical Threshold Voltage Model for Fully Depleted SOI MOSFETs
《Journal of Semiconductors》2005年第12期2303-2308,共6页李瑞贞 韩郑生 
A new two-dimensional （2D） analytical model for the threshold-voltage of fully depleted SOI MOSFETs is derived. The 2D potential distribution functions in the active layer of the devices are obtained through solving...
关键词：fully depleted SOI MOSFETs surface potential threshold voltage 
一种新的部分耗尽SOI器件BTS结构被引量：1
《电子器件》2005年第4期730-732,共3页李瑞贞 韩郑生 
提出了一种新的部分耗尽SOI体接触技术,与其它体接触技术相比,该方法可以有效抑制SOI器件的浮体效应。形成多晶硅栅之前在源区进行大剂量P+杂质注入,然后形成非对称源区浅结结构。然后生长硅化物电极,厚的硅化物穿透源区浅结与下面高浓...
关键词：SOI 浮体效应 体接触 
基于遗传算法的BSIM SOI模型参数提取被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第8期1676-1680,共5页李瑞贞 韩郑生 
提出了一种提取BSIMSOI模型参数的新方法,该方法基于遗传算法和局部优化法的结合,同时具有全局优化和局部优化的优点,提取的参数物理意义明确,并且容易得到全局最优解.该方法计算简单,不需要对模型进行深入了解和丰富的参数提取经验,易...
关键词：遗传算法 SOI 参数提取 
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