基于类渗流导电的超薄栅氧化层软击穿后的电流模拟  

Current Simulation Based on the Percolation-Like Conduction in Ultra-Thin Gate Oxides After Soft Breakdown

作　　者：王彦刚[1] 许铭真[1] 谭长华[1] 段小蓉[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第4期735-740,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究专项基金资助项目(批准号:TG2000036503)~~

摘　　要：研究了超薄栅氧化层(≤3.0nm)软击穿(softbreakdown,SBD)后的栅电流和衬底电流特性.提出了一个基于类渗流导电的SBD后栅电流和衬底电流的解析公式———类渗流导电公式.该公式能够在较大的电压范围(-4～+3V)模拟氧化层SBD后的栅电流和衬底电流的电流电压特性,为超薄栅氧化层可靠性的研究提供了一个较为简便的公式.The characteristics of the gate current （Ig） and substrate current （lb） of ultra-thin gate oxides （≤3nm） after soft breakdown （SBD） are studied.An analytic formula for Ig and Ib after SBD the percolation-like conduction （PLC） formula, based on the percolation-like mechanism, is proposed. The post SBD current-voltage relationship of Ig and Ib in a larger voltage range （ - 4- ＋ 3V） is simulated with the PLC formula, which is simple for the study of ultra-thin gate oxide reliability.

关 键 词：软击穿 超薄栅氧化层 类渗流导电 电流模拟 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]