比例差值谱技术在微尺度器件可靠性研究中的最新应用  

作　　者：纪志罡[1] 许铭真[1] 谭长华[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究院

出　　处：《中国集成电路》2006年第1期65-70,共6页China lntegrated Circuit

基　　金：国家基础研究九七三项目(编号G2000036503)的支持。

摘　　要：本文应用比例差分(PDO,ProportionalDifferenceOperator)技术提出了一种新的表征微尺度MOS器件负偏置温度不稳定性(NegativeBiasTemperatureInstability,NBTI)的实验方法。和传统方法相比,这种新方法可以避免恢复效应对NBTI表征的影响。使用该方法,本文研究了不同直流应力电压和应力温度对NBTI退化的影响。

关 键 词：MOS器件 微尺度 谱技术 可靠性研究 应用 比例 差值 NBTI 不稳定性 BIAS 

分 类 号：TN406[电子电信—微电子学与固体电子学]