硅基异质结n-SiOxNy/n-Si二极管的I-V特性分析  

Current-Voltage Characteristics of n-SiOxNy/n-Si Heterojunction Diode Grown on Silicon

作　　者：许铭真[1] 谭长华[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子研究所,北京,100871 北京大学微电子研究所,北京,100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期369-371,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：n-SiOxNy是硅上热生长的超薄绝缘SiOxNy薄膜在电、热应力作用下形成的一种具有双施主型掺杂的宽带隙(Eg=9eV)n-型半导体材料.随着施加电应力时的环境温度的增加,n-SiOxNy的形成效率显著增加.其形成时间的对数lnt随着应力电压、应力环境温度的增加而减小并呈近似的线性关系.n-SiOxNy中的双施主能级是一种施主型的双缺陷能级,当电应力引导的施主缺陷密度达到1.26×1020cm-3时,SiOxNy,绝缘薄膜呈现n型半导体导电特性.在n-Si或p-Si衬底上形成的硅基异质结n-SiOxNy/n-Si或n-SiOxNy/p-Si二极管的I-V特性具有饱和性质,在电压大于1V的电压区,I-V特性可以用1eV势垒的FN隧道机制来描述.当衬底Si的掺杂增加时,势垒高度下降.

关 键 词：硅基n-SiOxNy宽带隙半导体薄膜 硅基异质结二极管 FN隧道导电机制 

分 类 号：TN304.2+1[电子电信—物理电子学]