超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质  

Saturation Behavior of Ultrathin Gate Oxides After Soft Breakdown

作　　者：许铭真[1] 谭长华[1] 段小蓉[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子研究院,北京,100871 北京大学微电子研究院,北京,100871 北京大学微电子研究院,北京,100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期193-196,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:TG2000036503)

摘　　要：利用电子速度饱和概念和比例差值方法(proportional difference operator,PDO)研究了超薄SiO2在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压的变化所呈现的饱和性质.实验证明了第一次软击穿以后栅电流随着栅电压变化的PDO谱峰位、峰高与电子在第一次软击穿通道中运动的饱和速度及饱和电流密度相关.基于缺陷散射机制,得到的第一次软击穿通道的横截面积与文献报导的结果一致.

关 键 词：超薄SiO2 软击穿 I-V饱和特性 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]