少子产生寿命

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MOS结构栅面积对少子产生寿命测量的影响研究
《集成电路应用》2017年第7期40-45,共6页周颖 岳丰 
上海市软件和集成电路产业发展专项基金(2015.150223)
少子寿命直接与半导体器件的性能有关,是半导体器件设计与表征的基本电学参数之一。由于少子寿命这一参数对于半导体中起少子复合中心和陷阱作用的杂质和缺陷非常敏感,它的大小会直接影响MOS型DRAM(动态随机存储器)的刷新时间、PN结漏...
关键词：集成电路制造 MOS 栅 少子 寿命 
适用于少子产生寿命CAM的线性电压扫描法
《固体电子学研究与进展》2004年第3期407-409,共3页丁扣宝 潘骏 
提出了 MOS电容线性电压扫描法测量半导体少子产生寿命的新方法。通过在 MOS C-t瞬态曲线上读取 n个不同时刻的电容值 ,确定出相应的少子产生寿命值。该方法基于最小二乘法原理 ,可有效地消除测量误差的影响 ,其精度随读取点的增加而提...
关键词：半导体 少子产生寿命 线性电压扫描法 
MOS C—V技术在集成电路生产中的应用
《中国集成电路》2002年第9期75-79,共5页陈永珍 
本文介绍了Si-SiO_2结构特性与MOS晶体管和集成电路性能参数之间的关系。阐明在集成电路生产过程中MOS C—V技术应用的重要性。举例说明了C—V技术在工艺在线监控、工艺质量评定、集成电路产品片参数异常分析及集成电路的开发研究中的...
关键词：集成电路生产 晶体管参数 少子产生寿命 可动离子 性能参数 测试系统 开发研究 在线监控 测试结果 结构特性 
少子产生寿命计算机辅助测量及应用的研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2001年第1期87-91,共5页丁扣宝 张秀淼 宋加涛 
研究了半导体材料少子产生寿命的计算机辅助测量 ,设计了相应的产生寿命 C- t瞬态测量系统 ,能实现从阶跃信号产生直到测量结果输出全过程的自动化 ,提高了测量速度和准确度。应用于传统的“Zerbst图”法 ,可在原理和数据处理两方面得...
关键词：少子产生寿命 计算机辅助测量 半导体材料 
未知掺杂MOS结构少子产生寿命空间分布研究
《辽宁大学学报（自然科学版）》1997年第2期42-45,共4页孙玉芳 盛浩然 王中文 尚世琦 张文 胡延年 吕品 吴春瑜 
本文采用线性扫描法测定未知掺杂ＭＯＳ结构少子产生寿命空间分布，结果表明。
关键词：少子产生寿命 深度分布 半导体器件 MOS器件 
脉冲MOS结构少子产生寿命的统一表征被引量：1
《电子学报》1996年第8期19-22,共4页何燕冬 许铭真 谭长华 
本文提出了一种采用脉冲ＭＯＳ结构测量少子产生寿命的统一表征谱方法，此方法基于任何一种收敛弛豫过程均可以转换成一种衰减的指数函数的思想，应用差值取样原理获得脉冲ＭＯＳ结构瞬态电容差值谱，从谱图中我们可以直接得到关于少子...
关键词：少子产生寿命 脉冲MOS电容 半导体器件 
离子注入MOS结构少子产生寿命的确定被引量：1
《辽宁大学学报（自然科学版）》1995年第1期51-54,共4页吴春瑜 张久惠 
本文分析了非均匀掺杂衬底ＭＯＳ结构的电流和电容对线性扫描电压的瞬态响应，采用较精确的产生区模型，提出了瞬态电流和瞬态电容联合技术测量非均匀掺杂衬底ＭＯＳ结构电容少子产生寿命的方法，本方法无需计算图形积分和衬底的杂质分...
关键词：非均匀掺杂衬底 少子产生寿命 MOS结构 离子注入 
异质面GaAs太阳电池n层少子产生寿命的测量
《厦门大学学报（自然科学版）》1994年第4期463-467,共5页陈世帛 周必忠 王加宽 闵惠芳 王振英 
使用简单的微分电流和微分电容技术，从反向偏置的Ｉ－Ｖ和Ｃ－Ｖ数据计算异质面ｐｐｎＧａＡｓ太阳电池ｎ层少子产生寿命剖面图。讨论它对电池性能的影响。
关键词：少数载流子 太阳能电池 产生寿命 
用线性电压扫描的电容-时间瞬态测定少子产生寿命
《电子科学学刊》1992年第3期291-294,共4页张秀淼 
高纯硅与硅烷国家实验室资助课题
本文建议用耗尽的线性扫描电压扫描MOS电容样品。扫描开始前MOS电容被置于强反型态,以消除表面产生的影响。根据扫描所得的电容-时间瞬态曲线,可确定样品中少于产生寿命。实验表明,对于同一个MOS电容样品,不同电压扫描率下得到的结果有...
关键词：半导体 MOS电容 少子 寿命 
离子注入MOS有效少子产生寿命空间分布的确定
《电子学报》1990年第5期65-69,共5页黄庆安 吕世冀 
本文讨论了深耗尽MOS电容器的少子产生机构,提出测量有效少子产生寿命空间分布的方法。对低剂量注B的样品进行了测量,结果表明注入层比体内的有效少子产生寿命低,从Si-SiO_2界面到体内,有效少子产生寿命逐渐增大,最后到达注入离子没有...
关键词：离子注入 MOS器件 少子寿命 分布 
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