异质面GaAs太阳电池n层少子产生寿命的测量  

Characterization of Generation Lifetime in the n-Region for Heteroface GaAs Solar Cell

作　　者：陈世帛[1] 周必忠[1] 王加宽[1] 闵惠芳[1] 王振英[1] 

机构地区：[1]厦门大学物理学系,中国科学院上海冶金研究所

出　　处：《厦门大学学报（自然科学版）》1994年第4期463-467,共5页Journal of Xiamen University：Natural Science

摘　　要：使用简单的微分电流和微分电容技术，从反向偏置的Ｉ－Ｖ和Ｃ－Ｖ数据计算异质面ｐｐｎＧａＡｓ太阳电池ｎ层少子产生寿命剖面图。讨论它对电池性能的影响。The generation lifetime profile in the n-region of a ppn GaAs heterofacesolar cell had been determined by using a simple differential current and capacitance tech-nique from the reverse-biased I-V and C-V data. The effect of generation lifetime on cell per- formance waiq discussed.

关 键 词：少数载流子 太阳能电池 产生寿命 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]