MOS C—V技术在集成电路生产中的应用  

作　　者：陈永珍 

机构地区：[1]无锡华晶上华半导体有限公司

出　　处：《中国集成电路》2002年第9期75-79,共5页China lntegrated Circuit

摘　　要：本文介绍了Si-SiO_2结构特性与MOS晶体管和集成电路性能参数之间的关系。阐明在集成电路生产过程中MOS C—V技术应用的重要性。举例说明了C—V技术在工艺在线监控、工艺质量评定、集成电路产品片参数异常分析及集成电路的开发研究中的应用。

关 键 词：集成电路生产 晶体管参数 少子产生寿命 可动离子 性能参数 测试系统 开发研究 在线监控 测试结果 结构特性 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]