未知掺杂MOS结构少子产生寿命空间分布研究  

Study of Minority Generation Lifetime of MOS Structure with Unknown Doping

作　　者：孙玉芳[1,2] 盛浩然 王中文[1,2] 尚世琦 张文[1,2] 胡延年[1,2] 吕品[1,2] 吴春瑜[1,2] 

机构地区：[1]辽宁大学电子科学与工程系 [2]沈阳市农业银行计算中心

出　　处：《辽宁大学学报（自然科学版）》1997年第2期42-45,共4页Journal of Liaoning University：Natural Sciences Edition

摘　　要：本文采用线性扫描法测定未知掺杂ＭＯＳ结构少子产生寿命空间分布，结果表明。Spatial distribution of minority generation lifetime of MOS structure with unknown doping has been determined by the linear voltage sweep method. The experimental results indicated that this method is simple and accurate.

关 键 词：少子产生寿命 深度分布 半导体器件 MOS器件 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]