潘骏

作品数：2被引量：4H指数：1
导出分析报告
供职机构：浙江大学信息与电子工程学系更多>>
发文主题：PN结二极管PN二极管半导体少子产生寿命更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《电子器件》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
适用于少子产生寿命CAM的线性电压扫描法
《固体电子学研究与进展》2004年第3期407-409,共3页丁扣宝 潘骏 
提出了 MOS电容线性电压扫描法测量半导体少子产生寿命的新方法。通过在 MOS C-t瞬态曲线上读取 n个不同时刻的电容值 ,确定出相应的少子产生寿命值。该方法基于最小二乘法原理 ,可有效地消除测量误差的影响 ,其精度随读取点的增加而提...
关键词：半导体 少子产生寿命 线性电压扫描法 
利用I-V正向特性提取PN二极管主要参数的研究被引量：4
《电子器件》2002年第1期27-28,共2页丁扣宝 潘骏 
研究了利用电流 -电压 (I- V)正向特性提取 PN结二极管参数的方法。与通常使用的 PN结二极管模型不同 ,本文模型考虑了并联电导对电流的影响。在 I- V特性曲线上读取四级 (V,I)值 ,用牛顿法对模型方程组进行数值求解 ,可提取出 PN结二...
关键词：PN结二极管 I-V正向特性 参数提取 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部