韩临

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供职机构：北京大学微电子学研究院更多>>
发文主题：场效应晶体管IRSOI高压器件ROIC界面态更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《红外》《北京大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：云南省省院省校科技合作计划项目国家重点基础研究发展计划更多>>
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SOI高压器件热载流子退化研究(英文)
《北京大学学报（自然科学版）》2014年第4期632-636,共5页韩临 何燕冬 张钢刚 
国家重点基础研究发展计划(2011CBA00606)资助
提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区和漂移区在内的LDMOS器件界面陷阱密度在多种热载流子应力条件下的产生退化规律。针对界面陷阱的位置对LD...
关键词：高压横向扩散场效应晶体管 多区域直流电压电流技术 界面态 热载流子退化 
大规模IR ROIC中列读出级的低功耗设计
《红外》2007年第7期1-6,共6页刘丹 鲁文高 陈中建 韩临 赵宝瑛 吉利久 
云南省省院省校科技合作计划项目(2006YX28)
本文提出了一种大规模面阵型红外读出电路列读出级的低功耗设计.当读出频率为4MHz时,通过采用输出总线预置技术和stand-by低功耗策略,与主从两级放大的列读出级相比,功耗从8.16mW降低到了0.8mW,节省了大约90%的功耗.在输出总线预置的结...
关键词：红外FPA ROIC 低功耗设计 输出总线预置技术 
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