双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件  

CMOS Device Fabricated from Si/Al_2O_3/Si

作　　者：昝育德[1] 王俊[1] 李瑞云[1] 韩秀峰[1] 王建华[1] 于芳[1] 刘忠立[1] 王玉田[1] 王占国[1] 林兰英[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第7期823-830,共8页半导体学报（英文版）

摘　　要：报道了利用高真空 MOCVD外延生长 γ氧化铝的技术和利用 SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延 Si/ γ-Al2 O3/ Si单晶薄膜以及用其研制 Si/ γ- Al2 O3/ Si CMOS场效应晶体管、Si/ γ- Al2 O3/ SiThis paper reports making the double hetero epitaxial Si/γ Al 2O 3/Si single crystal films using a home made high vacuum system with 2×10 -4 Pa and using these films to manufacture MOSFETs and integrated circuit at the first step.

关 键 词：外延 CMOS SOS EEACC 2560 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]