韩德栋

作品数：16被引量：40H指数：4
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发文主题：薄膜晶体管晶体管沟道氧化锌薄膜平板显示更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术医药卫生更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《微电子学》《物理学报》更多>>
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金属氧化物薄膜晶体管发展及其应用被引量：4
《微纳电子与智能制造》2019年第1期29-46,共18页韩德栋 董俊辰 李慧津 郁文 王漪 张兴 
随着新型显示产品的快速发展,有源显示器对薄膜晶体管的性能要求越来越高。传统的非晶硅薄膜晶体管已不能满足新型显示器的高清晰、高亮度、柔性以及窄边(无边)框的需求,研究和开发新型薄膜晶体管成为了研究和产业界的重要课题之一。主...
关键词：金属氧化物 薄膜晶体管 新型显示 
高性能钆铝锌氧薄膜晶体管的制备被引量：3
《液晶与显示》2017年第5期339-343,共5页董俊辰 郁文 李慧津 韩德栋 张盛东 张兴 王漪 
国家自然科学基金(No.61275025)~~
本文研究并制备了钆铝锌氧薄膜和以钆铝锌氧为有源层的薄膜晶体管。钆铝锌氧薄膜材料的光致发光光谱和透过率说明钆铝锌氧薄膜在透明显示方向的应用潜力。透射电子显微镜揭示了钆铝锌氧薄膜的非晶态微观结构。钆铝锌氧薄膜晶体管显示了...
关键词：钆铝锌氧 薄膜晶体管 有源层 
ZnCoO稀磁半导体的室温磁性被引量：10
《物理学报》2006年第12期6651-6655,共5页王漪 孙雷 韩德栋 刘力锋 康晋锋 刘晓彦 张兴 韩汝琦 
国家自然科学基金(批准号:10234010;60506009)资助的课题.~~
采用固相反应法,将ZnO和Co2O3粉末按不同的成分配比混合,制备了稀磁半导体Zn1-xCoxO(x=0·02,0·06,0·10)材料.并使用H2气氛退火技术对样品进行了处理,得到了具有室温铁磁性的掺Co氧化锌稀磁半导体.利用全自动X射线衍射仪、X射线光电...
关键词：稀磁半导体 氧化锌 掺杂 固相反应法 
HfO_2高k栅介质等效氧化层厚度的提取被引量：3
《Journal of Semiconductors》2006年第5期852-856,共5页陈勇 赵建明 韩德栋 康晋锋 韩汝琦 
国防预研基金资助项目(批准号:51412010103DZ0215)~~
分两步提取了HfO2高k栅介质等效氧化层厚度(EOT).首先,根据MIS测试结构等效电路,采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影响进行修正,得出HfO2高k栅介质的准确C-V特性.其次,给出了一种利用平带电容提取高k介质EOT的方法,该方法...
关键词：高介电常数栅介质 等效氧化层厚度 二氧化铪 
超薄HfO_2高K栅介质薄膜的软击穿特性被引量：3
《固体电子学研究与进展》2005年第2期157-159,共3页韩德栋 康晋锋 杨红 韩汝琦 
国家重点基础研究专项经费资助项目(合同号:G20000365)
研究了高K(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的制备工艺,制备了有效氧化层厚度为2.9nm的超薄MOS电容。当栅氧化层很薄时会发生软击穿现象,软击穿和通常的硬击穿是不同的现象。分别利用在栅介质上加恒流应力和恒压应力两种方法研究了HfO2薄膜...
关键词：高介电常数栅介质 二氧化铪薄膜 软击穿 
恒电流应力引起HfO_2栅介质薄膜的击穿特性
《Journal of Semiconductors》2004年第8期1009-1012,共4页韩德栋 康晋锋 王成钢 刘晓彦 韩汝琦 王玮 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (合同号 :G2 0 0 0 0 3 65 )~~
利用磁控溅射的方法在 p- Si上制备了高 k(高介电常数 )栅介质 Hf O2薄膜的 MOS电容 ,对薄栅氧化层电容的软击穿和硬击穿特性进行了实验研究 .利用在栅极加恒电流应力的方法研究了不同面积 Hf O2 薄栅介质的击穿特性以及击穿对栅介质的 ...
关键词：恒电流应力 高κ HFO2 击穿 
HfO_2高k栅介质漏电流机制和SILC效应被引量：7
《Journal of Semiconductors》2004年第7期841-846,共6页王成刚 韩德栋 杨红 刘晓彦 王玮 王漪 康晋锋 韩汝琦 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (合同号 :G2 0 0 0 0 3 65 )~~
利用室温下反应磁控溅射的方法在 p- Si(1 0 0 )衬底上制备了 Hf O2 栅介质层 ,研究了 Hf O2 高 k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流 (SIL C)效应 .对 Hf O2 栅介质泄漏电流输运机制的分析表明 ,在电子由衬底注入的情况下 ,泄漏...
关键词：HFO2栅介质 泄漏电流输运机制 Schottky发射 Frenkel—Poole发射 SILC PACC 7360 7755 EEACC 2550 2530 
HfO_2高K栅介质薄膜的电学特性研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2004年第1期1-3,共3页韩德栋 康晋锋 刘晓彦 韩汝琦 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (合同号 :G2 0 0 0 0 3 65 )
研究了高 K(高介电常数 )栅介质 Hf O2 薄膜的制备工艺 ,制备了有效氧化层厚度为 2 .9nm的超薄MOS电容。对电容的电学特性如 C-V特性 ,I-V特性 ,击穿特性进行了测试。实验结果显示 :Hf O2 栅介质电容具有良好的 C-V特性 ,较低的漏电流...
关键词：HFO2薄膜 高介电常数栅介质 电学特性 MOS 集成电路 
Al_2O_3栅介质的制备工艺及其泄漏电流输运机制被引量：5
《Journal of Semiconductors》2003年第10期1109-1114,共6页任驰 杨红 韩德栋 康晋锋 刘晓彦 韩汝琦 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (No .G2 0 0 0 0 36 5 0 0 )~~
利用室温下反应磁控溅射结合炉退火的方法在P Si(10 0 )衬底上制备了Al2 O3 栅介质层 ,研究了不同的溅射气氛和退火条件对Al2 O3 栅介质层物理特性的影响 .结果表明 :在较高温度下N2 气氛中退火有助于减小泄漏电流 ;在O2 气氛中退火有...
关键词：A12O3栅介质 泄漏电流输运机制 Schottky发射 Frenkel-Poole发射 
Al_2O_3高k栅介质的可靠性被引量：1
《Journal of Semiconductors》2003年第9期1005-1008,共4页杨红 康晋锋 韩德栋 任驰 夏志良 刘晓彦 韩汝琦 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (No .G2 0 0 0 0 356 )~~
利用反应溅射方法制备了等效氧化层厚度为 3 45nm的Al2 O3栅介质MOS电容 ,研究了Al2 O3作为栅介质的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿等可靠性特征 .击穿实验显示 ,样品的Al2 O3栅介质的等效击穿场强大小为1 2 8MV/cm .在时变击穿的实验...
关键词：高K栅介质 可靠性 时变击穿 
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