HfO_2高K栅介质薄膜的电学特性研究  

Study on Electrical Characteristics of High-K HfO_2 Gate Dielectric Films

作　　者：韩德栋[1] 康晋锋[1] 刘晓彦 韩汝琦[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子所,北京100871

出　　处：《固体电子学研究与进展》2004年第1期1-3,共3页Research & Progress of SSE

基　　金：国家重点基础研究专项经费资助项目 (合同号 :G2 0 0 0 0 3 65 )

摘　　要：研究了高 K(高介电常数 )栅介质 Hf O2 薄膜的制备工艺 ,制备了有效氧化层厚度为 2 .9nm的超薄MOS电容。对电容的电学特性如 C-V特性 ,I-V特性 ,击穿特性进行了测试。实验结果显示 :Hf O2 栅介质电容具有良好的 C-V特性 ,较低的漏电流和较高的击穿电压。因此 ,Hf O2 栅介质可能成为 Si O2 栅介质的替代物。Ultra thin HfO 2 gate dielectric films fabricated by ion beam sputtering a sintered HfO 2 target. Capacitance voltage ( C V ), current voltage ( I V ), and breakdown characteristics of gate dielectric were studied. Results show that HfO 2 gate dielectric hold good electrical characteristics. Thus, HfO 2 is a promising candidate for SiO 2 gate dielectric.

关 键 词：HFO2薄膜 高介电常数栅介质 电学特性 MOS 集成电路 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]