云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- HFO2薄膜

HFO2薄膜: 作品数：65被引量：149H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：理学电子电信更多>>; 相关作者：刘正堂邵淑英范正修刘文婷沈军更多>>; 相关机构：北京科技大学中国科学院上海光学精密机械研究所中国科学院西北工业大学更多>>; 相关期刊：《武汉理工大学学报》《材料热处理学报》《光学精密工程》《光学学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金中国航空科学基金更多>>

衬底材料对石墨烯薄膜生长影响研究被引量：3: 《电子元件与材料》2022年第7期680-685,共6页刘姗王伟蒋志伟樊瑞祥杨玉帅王凯; 河北省自然科学基金(F2019202377)。; 石墨烯薄膜在集成电路领域有着光明的前景,为提高石墨烯原位生长质量,研究了石墨烯薄膜分别在Ni、SiO_(2)以及HfO_(2)衬底上的生长情况与成膜机理。采用电子束蒸镀制备了金属Ni与HfO_(2)高K介质薄膜,利用等离子体化学气相淀积(PECVD)法...; 关键词：石墨烯薄膜等离子体化学气相淀积 HFO2薄膜表面能碳原子沉积

退火对EBE,IBS和ALD沉积HfO2薄膜的抗激光损伤性能影响被引量：1: 《强激光与粒子束》2020年第7期7-14,共8页刘浩马平蒲云体赵祖珍; 深圳市科技计划基础研究面上项目(JCYJ20190807142405649)。; 结合自身实验条件采用电子束蒸发(EBE)、离子束溅射(IBS)和原子层沉积(ALD)三种工艺制备了HfO2薄膜,对其进行退火实验,采用1064 nm Nd:YAG激光测定了即时沉积和退火后各HfO2薄膜的抗激光损伤能力。研究发现,ALD HfO2薄膜的激光损伤阈值...; 关键词：HFO2薄膜激光损伤阈值电子束蒸发离子束溅射原子层沉积

反应电子束蒸发HfO2薄膜的结构、光学、化学和抗激光损伤特性被引量：7: 《中国激光》2020年第4期162-168,共7页余振张伟丽朱瑞齐红基; 采用反应电子束蒸发技术在不同氧分压下制备了HfO2薄膜,并采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、椭圆偏振仪、X射线光电子能谱仪、1064 nm弱吸收测试仪、1064 nm激光1-on-1损伤测试系统等,对HfO2薄膜的结构、光学性能、化学组分、吸收性能...; 关键词：薄膜反应蒸发氧分压抗激光损伤特性

热ALD和等离子增强ALD沉积HfO2薄膜的比较（英文）被引量：2: 《半导体技术》2019年第10期795-802,共8页乌李瑛柏荣旭瞿敏妮田苗沈赟靓王英程秀兰; National Ministry of Science and Technology“13thFive-Year”Key Research and Development Program Sub Project for High Performance Computing(2016YFB0200205);2018 Shanghai Public R&D Service Center Construction Project(18DZ2295400); 以四(甲乙胺)铪(TEMAHf)作为前驱体,采用热原子层沉积(TALD)技术和等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术分别在硅衬底上沉积二氧化铪(HfO2)薄膜。分别研究了水和臭氧作为共反应物对TALD HfO2薄膜性能的影响及采用电容耦合等离子体(CCP)PEA...; 关键词：二氧化铪(HfO2) 原子层沉积(ALD) 热原子层沉积(TALD) 等离子增强原子层沉积(PEALD) 介电常数

厚度对钇掺杂氧化铪薄膜性质的影响: 《中国陶瓷》2019年第8期61-65,共5页赵鹏周大雨孙纳纳; 国家自然科学基金(51672032); 通过中频磁控溅射在p型(100)硅基片上沉积了不同厚度的Y掺杂HfO2(Y∶HfO2)薄膜。利用X射线光电子能谱(XPS)分析薄膜的Y掺杂浓度及元素结合状态。掠入射X射线衍射(GIXRD)分析表明,3.25 mol.%的Y掺杂HfO2薄膜相结构为立方相。利用X射线反...; 关键词：HFO2薄膜厚度成分相结构电性能

Ce掺杂HfO2薄膜的化学溶液法制备及其铁电性能研究被引量：1: 《湘潭大学学报（自然科学版）》2019年第3期82-89,共8页赵紫东刘恒郑帅至廖敏周益春; 国家自然科学基金项目(51702273); 氧化铪基薄膜与金属氧化物半导体(CMOS)工艺高度兼容,具有良好的可微缩性和保持性能,其铁电性的发现引起了科学家们的广泛关注.该文通过化学溶液法在铂(Pt)衬底上制备5mol%和10mol%的铈掺杂氧化铪基(Ce:HfO2)薄膜,并在不同的退火温度条...; 关键词：CE掺杂铁电薄膜二氧化铪化学溶液法

中频磁控溅射Y掺杂制备HfO_2薄膜及其介电性能研究: 《信息记录材料》2019年第4期38-39,共2页李金玉; 随着现代集成电路的发展,传统的SiO_2材料将不能适应现代工艺的需要。人们就提出了要以其他具有高介电常数的材料来代替SiO_2,高K氧化物材料成为这一领域热门研究方向。HfO_2材料作为SiO_2最好的替代物,与硅基电路集成时有良好的兼容性...; 关键词：磁控溅射法 HFO2薄膜表征分析

p-Si（100）衬底上反应磁控溅射制备HfO2薄膜的工艺和性能研究: 《功能材料与器件学报》2019年第2期99-106,共8页李霞姚建可邓伟肖祥贺鑫张盛东; 02国家重大专项; 我们采用反应磁控溅射的方法在p-Si(100)衬底上制备了Hf O2薄膜。我们对制备的工艺进行了摸索。设计了不同的实验条件。分别在不同的工艺条件下制备得到Hf O2薄膜。在不同氧分压条件下制备了一组Hf O2薄膜,在不同的溅射功率条件下制备...; 关键词：反应磁控溅射 HFO2 薄膜工艺性能

钇掺杂量和膜厚对HfO_2纳米薄膜相结构的影响: 《功能材料》2017年第10期10154-10158,共5页杨喜锐王雪霞周大雨徐进闫泳梁海龙; 国家自然科学基金资助项目(51272034;51672032);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT15LAB23); 二氧化铪(HfO_2)是广泛应用于微电子器件制备的电介质绝缘材料,其高介电系数四方相或立方相的稳定受掺杂元素含量和薄膜厚度的共同影响。采用纯水基溶胶-凝胶法在低阻硅基底上制备不同厚度的钇掺杂HfO_2薄膜,通过对薄膜晶相结构的X射线...; 关键词：HFO2薄膜相变钇含量膜厚溶胶-凝胶

氮气气氛下热处理温度对HfO_2薄膜基底界面结构的影响: 《陶瓷学报》2017年第3期309-314,共6页杨立平严楷赵园园曹江利; 科技部创新方法工作专项项目(2012IM30500); 通过电子束蒸发镀膜方法在SiO_2(native)/n-Si(100)基底上沉积HfO_2薄膜,采用俄歇电子能谱、原子力显微镜、掠入射X射线衍射以及X射线光电子能谱研究氮气气氛下热处理温度对HfO_2薄膜基底界面结构的影响。结果表明氮气气氛下热处理能够...; 关键词：HFO2薄膜基底界面表面结构结构缺陷扩散

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