检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:陈勇[1] 赵建明[1] 韩德栋[2] 康晋锋[2] 韩汝琦[2]
机构地区:[1]电子科技大学微电子与固体电子学院,成都610054 [2]北京大学微电子系,北京100871
出 处:《Journal of Semiconductors》2006年第5期852-856,共5页半导体学报(英文版)
基 金:国防预研基金资助项目(批准号:51412010103DZ0215)~~
摘 要:分两步提取了HfO2高k栅介质等效氧化层厚度(EOT).首先,根据MIS测试结构等效电路,采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影响进行修正,得出HfO2高k栅介质的准确C-V特性.其次,给出了一种利用平带电容提取高k介质EOT的方法,该方法能克服量子效应所产生的反型层或积累层电容的影响.采用该两步法提取的HfO2高k栅介质EOT与包含量子修正的Poisson方程数值模拟结果对比,误差小于5%,验证了该方法的正确性.The equivalent oxide thickness (EOT) of an HfO2 high κ dielectric is extracted in two steps. First,a dual-frequency technique is employed for the C-V curve to overcome the effects of leakage current and substrate resistance. Second,an approach using flat-band capacitance is demonstrated for extracting the EOT of a high κ dielectric, without the effects of inversion or accumulation capacitance. The relative error between the EOT extracted by this two-step approach and by the quantum corrected Poisson equation is less than 5%, thus validating the approach.
分 类 号:TN386[电子电信—物理电子学]
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:216.73.216.38