等效氧化层厚度

作品数：7被引量：4H指数：1
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：王文武陈大鹏骆志炯王晓磊韩锴更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所中芯国际集成电路制造(上海)有限公司清华大学北京大学更多>>
相关期刊：《半导体技术》《科技创新导报》《中国科技成果》《井冈山大学学报（自然科学版）》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金北京市自然科学基金更多>>
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高k HfO2栅介质淀积后退火工艺研究
《半导体技术》2018年第4期285-290,共6页刘倩倩 魏淑华 杨红 张静 闫江 
国家自然科学基金资助项目(61504001);北京市自然科学基金资助项目(4162023)
研究了淀积后退火（PDA）工艺（包括退火环境和退火温度）对高介电常数（k）HfO2栅介质MOS电容（MOSCAP）电学特性的影响。通过对比O2和N2环境中,不同退火温度下的HfO2栅介质MOSCAP的C-V曲线发现,高k HfO2栅介质在N2环境中退火时具有更...
关键词：HFO2 淀积后退火(PDA) C-V特性 等效氧化层厚度 平带电压 栅极泄漏电流 
超高频化合物基CMOS器件和电路研究
《中国科技成果》2016年第19期18-18,20,共2页
国家973计划课题（2010CB327501）.
随着晶体管尺寸的持续缩小，不断增加的晶体管密度与工作频率造成集成电路散热量急剧增大，互连寄生效应成为影响芯片功耗与速度的关键因素，应变硅沟道日益逼近极限，在硅基平台上引入更高迁移率的非硅沟道材料来提升CMOS的性能已成为1...
关键词：CMOS器件 化合物半导体 集成电路 高电子迁移率 超高频 沟道迁移率 载流子输运 等效氧化层厚度 
适于16纳米及以下的器件和电路的集成工艺基础研究
《科技创新导报》2016年第8期174-174,共1页尹海洲 刘洪刚 朱慧珑 王文武 刘云飞 
该研究2013年度主要围绕研究高迁移率半导体表面态及钝化机理,探索热力学稳定的高k栅介质材料方面,主要开展解决等效氧化层厚度表征,金属栅功函数的调制、沟道迁移率的下降以及高k栅介质的可靠性等相关问题,并实现器件质量的高k介质材...
关键词：高迁移率沟道 高K栅介质 半导体表面态 等效氧化层厚度 金属栅功函数 
新一代CMOS器件栅介质材料研究进展
《井冈山大学学报（自然科学版）》2011年第5期76-81,共6页郭鸣 周松华 刘昌鑫 
江西省教育厅科技项目(GJJ11181;GJJ08417);井冈山大学博士科研启动基金项目;华东师范大学优秀博士研究生培养基金(20080051)
随着微电子技术的飞速发展,按照摩尔定律发展的要求,SiO2的极限厚度已经成为Si基集成电路提高集成度的瓶颈。寻求代替SiO2的其它新一代高k栅介质已成为当今微电子技术发展的必然趋势。文章介绍了几种最有可能成为下一代栅介质的高k材料...
关键词：高介电常数 栅介质 等效氧化层厚度 漏电流 
高k栅介质/金属栅结构CMOS器件的等效氧化层厚度控制技术被引量：1
《电子工业专用设备》2010年第3期11-16,共6页陈世杰 王文武 蔡雪梅 陈大鹏 王晓磊 韩锴 
随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,绝缘栅介质层也按照等比例缩小的原则变得越来越薄,由此而产生的栅漏电流增大和可靠性降低等问题变得越来越严重。传统的SiO2栅介质材料已不能满足CMOS器件进一步缩小的需要,而利用高介电常数栅介质(高k...
关键词：高K栅介质 等效氧化层厚度(EOT) 金属栅 氧吸除 
HfO_2高k栅介质等效氧化层厚度的提取被引量：3
《Journal of Semiconductors》2006年第5期852-856,共5页陈勇 赵建明 韩德栋 康晋锋 韩汝琦 
国防预研基金资助项目(批准号:51412010103DZ0215)~~
分两步提取了HfO2高k栅介质等效氧化层厚度(EOT).首先,根据MIS测试结构等效电路,采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影响进行修正,得出HfO2高k栅介质的准确C-V特性.其次,给出了一种利用平带电容提取高k介质EOT的方法,该方法...
关键词：高介电常数栅介质 等效氧化层厚度 二氧化铪 
具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期283-290,共8页徐秋霞 钱鹤 段晓峰 刘海华 王大海 韩郑生 刘明 陈宝钦 李海欧 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2006CB302704)
深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩...
关键词：应变硅沟道 压应力 Ge预非晶化注入 等效氧化层厚度 栅长 CMOS 
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