刘海华

作品数：6被引量：8H指数：2
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供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文主题：应变硅磁畴坡莫合金PMOSFET沟道更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《电子显微学报》《物理化学学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金科技部基础研究重大项目前期研究专项国家重点基础研究发展计划更多>>
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利用自制可加磁场样品台对链状位移型磁畴壁的原位洛伦兹电子显微术研究被引量：5
《电子显微学报》2011年第2期97-101,共5页刘海华 车仁超 王志峰 段晓峰 
国家自然科学基金资助项目(No.10776037)
利用自制的可加磁场样品台,结合离焦洛仑兹电子显微术,原位研究了坡莫合金中的一种链状位移型磁畴壁在磁化和反磁化过程中的变化,并据此提出了相应的样品薄膜面内的磁力线分布模型。
关键词：原位洛仑兹电子显微术 链状位移型畴壁 磁畴 坡莫合金 
海藻酸锌纤维热降解法制备氧化锌纳米结构被引量：2
《物理化学学报》2008年第12期2179-2184,共6页孔庆山 吴兴隆 郭玉国 王乙潜 夏延致 于建 刘海华 段晓峰 
国家自然科学基金(50673046,50730005);科技部重大基础研究前期研究专项基金(2006CB708603)资助项目
采用天然高分子海藻酸钠为原料,以氯化锌水溶液为凝固浴,通过湿法纺丝技术成功制备了海藻酸锌(Alg-Zn)纤维.通过在空气中不同温度下对所得海藻酸锌纤维进行热处理,得到了多种ZnO纳米结构.利用热失重分析(TG)、X射线衍射(XRD)、电子能量...
关键词：海藻酸锌纤维 氧化锌 纳米棒 热降解 
应变硅MOSFET沟道应变的有限元研究
《电子显微学报》2008年第5期364-369,共6页刘海华 段晓峰 徐秋霞 
国家科技部项目资助(No.2007CB936301,2001CB610502和G2000036504)
本文报道了利用有限元计算和动力学大角度会聚束电子衍射模拟的方法研究了应变硅场效应晶体管沟道中的应变分布。沟道压应变是利用预非晶化源漏区锗离子注入应变诱导工艺技术引入的。有限元计算结果显示,器件的源漏区很低的锗注入剂量...
关键词：应变硅 场效应晶体管 有限元方法 大角度会聚束电子衍射 
应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究被引量：1
《电子显微学报》2007年第4期312-321,共10页段晓峰 刘海华 徐秋霞 刘邦贵 
国家科技部项目资助(No.2001CB610502;No.G2000036504)
本文报道了应变硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)沟道中的局部应变的大角度会聚束电子衍射表征。由于源和漏极区预非晶化锗离子注入工艺在源漏区引入了大量的缺陷,导致在截面电镜样品中存在切应变。利用大角度会聚束电子衍射...
关键词：应变硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 大角度会聚束电子衍射 
具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期283-290,共8页徐秋霞 钱鹤 段晓峰 刘海华 王大海 韩郑生 刘明 陈宝钦 李海欧 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2006CB302704)
深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩...
关键词：应变硅沟道 压应力 Ge预非晶化注入 等效氧化层厚度 栅长 CMOS 
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