具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件  

High Performance Gate Length 22nm CMOS Device with Strained Channel and EOT 1.2nm

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作  者:徐秋霞[1] 钱鹤[1] 段晓峰[1] 刘海华[1] 王大海[1] 韩郑生[1] 刘明[1] 陈宝钦[1] 李海欧[1] 

机构地区:[1]中国科学院微电子研究所,北京,100029 中国科学院微电子研究所,北京,100029 中国科学院物理研究所,北京,100080 中国科学院物理研究所,北京,100080 中国科学院微电子研究所,北京,100029 中国科学院微电子研究所,北京,100029 中国科学院微电子研究所,北京,100029 中国科学院微电子研究所,北京,100029 中国科学院微电子研究所,北京,100029

出  处:《Journal of Semiconductors》2006年第z1期283-290,共8页半导体学报(英文版)

基  金:国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2006CB302704)

摘  要:深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.

关 键 词:应变硅沟道 压应力 Ge预非晶化注入 等效氧化层厚度 栅长 CMOS 

分 类 号:TN386[电子电信—物理电子学]

 

参考文献:

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