云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 李海欧

李海欧: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>; 发文主题：EOTCMOS器件CMOS压应力等效氧化层厚度更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>; 所获基金：国家重点基础研究发展计划更多>>

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具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件: 《Journal of Semiconductors》2006年第z1期283-290,共8页徐秋霞钱鹤段晓峰刘海华王大海韩郑生刘明陈宝钦李海欧; 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2006CB302704); 深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩...; 关键词：应变硅沟道压应力 Ge预非晶化注入等效氧化层厚度栅长 CMOS