应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究  

LACBED study of strain in strained-Si PMOSFET

作　　者：段晓峰[1] 刘海华[1] 徐秋霞[2] 刘邦贵[1] 

机构地区：[1]北京电子显微镜实验室中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室,北京100080 [2]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《电子显微学报》2007年第4期312-321,共10页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

基　　金：国家科技部项目资助(No.2001CB610502;No.G2000036504)

摘　　要：本文报道了应变硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)沟道中的局部应变的大角度会聚束电子衍射表征。由于源和漏极区预非晶化锗离子注入工艺在源漏区引入了大量的缺陷,导致在截面电镜样品中存在切应变。利用大角度会聚束电子衍射(LACBED)测量了沟道区的压应变和切应变,并讨论了沟道区产生巨大压应变(2%以上)的原因。In this paper we report the characterization of local compressive strain in p-type strained-silicon channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors （PMOSFET） by large angle convergent-beam electron diffraction （LACBED）. The defects in the source and drain extensions caused by the Ge pre-amorphization implantation （Ge PAI） process induced shear strain in the channel region of cross-sectional transmission electron microscopy specimen of strained-silicon PMOSFET. The depth profiles of compressive strain and shear strain in the channel were obtained by LACBED methods and the origin of large compressive strain （up to 2% ） in the channel was discussed.

关 键 词：应变硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 大角度会聚束电子衍射 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]