陈世杰

作品数：3被引量：4H指数：1
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：界面层半导体器件介质层阈值电压金属栅更多>>
发文领域：电子电信交通运输工程金属学及工艺理学更多>>
发文期刊：《电子工业专用设备》《重庆邮电大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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前栅工艺下高k/金属栅CMOS器件EOT控制技术研究被引量：1
《电子工业专用设备》2010年第4期7-12,20,共7页陈世杰 蔡雪梅 
随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,绝缘栅介质层也按照等比例缩小的原则变得越来越薄,由此而产生的栅漏电流增大和可靠性降低等问题变得越来越严重。传统的SiO2栅介质材料已不能满足CMOS器件进一步缩小的需要,而利用高介电常数栅介质(高k...
关键词：高K栅介质 EOT 前栅工艺 氧吸除 
高k栅介质/金属栅结构CMOS器件的等效氧化层厚度控制技术被引量：1
《电子工业专用设备》2010年第3期11-16,共6页陈世杰 王文武 蔡雪梅 陈大鹏 王晓磊 韩锴 
随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,绝缘栅介质层也按照等比例缩小的原则变得越来越薄,由此而产生的栅漏电流增大和可靠性降低等问题变得越来越严重。传统的SiO2栅介质材料已不能满足CMOS器件进一步缩小的需要,而利用高介电常数栅介质(高k...
关键词：高K栅介质 等效氧化层厚度(EOT) 金属栅 氧吸除 
NBT基陶瓷中相变致电子发射的研究(英文)被引量：2
《重庆邮电大学学报（自然科学版）》2007年第6期764-766,共3页蔡雪梅 吴贵能 王宝英 陈世杰 郭曙光 张树人 
This work is supported by National Natural Science Foundation(No.60471027)
在无铅铁电阴极钛酸铋钠(NBT)中获得了20 A/cm2的电流发射密度。在施加激励电压过程中,观察到了和其他阴极材料不同的3个发射电流峰。通过考虑相变因数对电流发射的影响,修正了基于极化反转致电子发射模型的电流发射公式,由此定量解释了...
关键词：相变致电子发射 抗疲劳铁电阴极 快极化反转 电流发射密度 
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