刘洪刚

作品数：11被引量：11H指数：2
导出分析报告
供职机构：桂林电子科技大学更多>>
发文主题：沟道迁移率衬底半导体器件硅基更多>>
发文领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术航空宇航科学技术更多>>
发文期刊：《稀有金属与硬质合金》《物理学报》《半导体光电》《焊接学报》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家科技重大专项广西壮族自治区自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
基于90 nm SOI CMOS工艺的24 GHz信号发生器
《湖南大学学报（自然科学版）》2020年第6期96-102,共7页夏庆贞 李东泽 常虎东 孙兵 刘洪刚 
国家重点研发计划资助项目(2016YFA0202304,2016YFA0201903);国家自然科学基金资助项目(61674168,61504165);中国科学院微电子研究所微电子器件与集成重点实验室开放项目。
SOI CMOS工艺具有高的截止频率和良好的温度稳定性,能够满足微波毫米波雷达收发芯片在多种应用场景下的使用要求.采用90 nm SOI CMOS工艺,设计一种A类无输出阻抗匹配网络Stacked-FET功率放大器,改善了功率放大器的饱和输出功率和可靠性...
关键词：SOI CMOS 功率放大器 信号发生器 
基于Ar等离子体表面激活的Ni-Si晶圆键合工艺研究被引量：2
《稀有金属与硬质合金》2017年第3期56-58,70,共4页许维 王盛凯 刘洪刚 
国家科技重大专项(2011ZX02708-003)
利用Ar等离子体对晶圆表面进行激活处理,随后进行Ni-Si晶圆键合。研究了等离子体表面激活过程中的气体流量和反应离子刻蚀功率对晶圆键合效果的影响,并利用超声扫描显微镜图片来评估晶圆键合的质量。结果表明,等离子体表面激活处理利于...
关键词：晶圆键合 化学反应键合 Ni-Si键合 表面激活 Ar等离子体 
表面残留颗粒对晶圆键合影响机制的研究
《半导体光电》2016年第6期809-812,837,共5页许维 王盛凯 徐杨 王英辉 陈大鹏 刘洪刚 
国家科技重大专项项目(2011ZX02708-003)
着重分析了晶圆表面残留颗粒对晶圆键合的影响,并从表面残留颗粒统计意义的角度,得到了一个晶圆键合的判定标准。为了改善键合界面出现的气泡问题,一种基于点压技术的新型点压键合法被应用到整片键合中,并和传统的金金热压键合法进行了...
关键词：晶圆键合 热压键合 点压键合法 表面粗糙度 表面清洁度 
一种基于点压技术的新型晶圆键合方法
《焊接学报》2016年第9期125-128,134,共4页许维 王盛凯 徐杨 王英辉 陈大鹏 刘洪刚 
金金热压键合法在半导体制造领域中应用广泛,为了进一步改进该键合方法,首次提出了一种基于点压技术的新型晶圆键合方法,并研究了工艺温度、压强以及时间对点压键合法单点键合面积的影响.通过超声扫描显微镜图像,着重比较了传统金金热...
关键词：晶圆键合 热压键合 金金键合 点压键合法 
适于16纳米及以下的器件和电路的集成工艺基础研究
《科技创新导报》2016年第8期174-174,共1页尹海洲 刘洪刚 朱慧珑 王文武 刘云飞 
该研究2013年度主要围绕研究高迁移率半导体表面态及钝化机理,探索热力学稳定的高k栅介质材料方面,主要开展解决等效氧化层厚度表征,金属栅功函数的调制、沟道迁移率的下降以及高k栅介质的可靠性等相关问题,并实现器件质量的高k介质材...
关键词：高迁移率沟道 高K栅介质 半导体表面态 等效氧化层厚度 金属栅功函数 
InP表面氮化对Al_2O_3/InP金属氧化物半导体电容界面特性及漏电特性的影响被引量：1
《真空科学与技术学报》2016年第1期110-116,共7页曹明民 林子曾 王盛凯 李琦 肖功利 高喜 刘洪刚 李海鸥 
国家自然科学基金项目(No.61274077;61474031;61464003);广西自然科学基金项目(No.2013GXNSFGA019003;2013GXNSFAA019335);中国国家重点基础研究发展计划项目(NO.2011CBA00605);"极大规模集成电路制造装备及成套工艺"科技重大专项(NO.2011ZX02708-003);桂林电子科技大学创新基金项目(YJCXS201529;GDYCSZ201448;GDYCSZ201449)
采用原子层沉积系统中自带的等离子体发生器产生N_2等离子体直接处理InP表面,系统地研究了氮化对Al_2O_3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容界面特性及栅漏电特性的影响。实验结果表明,氮化能有效降低界面缺陷密度和边界缺陷密度,抑制InP表...
关键词：N2等离子体 界面缺陷 边界缺陷 滞回 频散 漏电流 
ICP干法刻蚀GaAs背孔工艺研究被引量：6
《真空科学与技术学报》2015年第3期306-310,共5页周佳辉 常虎东 张旭芳 徐文俊 李琦 李思敏 何志毅 刘洪刚 李海鸥 
国家自然科学基金项目(No.61274077;61474031);广西自然科学基金项目(No.2013GXNSFGA019003);广西教育厅项目(No.201202ZD041);桂林市科技局科技开发项目(No.20120104-8;20130107-4);中国博士后基金项目(No.2012M521127;2013T60566);中国国家重点基础研究发展计划项目(No.2011CBA00605;2010CB327501);电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金项目(No.KFJJ201205);桂林电子科技大学研究生教育创新计划资助项目(GDYCSZ201448;GDYCSZ201449)
采用金属Ni作为掩膜,Cl2/BCl3作为刻蚀气体,利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)技术对Ga As HEMT背孔工艺进行研究。本文详细研究了ICP功率、反应室压强、Cl2/BCl3流量比以及RF功率对刻蚀速率、刻蚀形貌以及"长草"效应的影响。实验结果表明...
关键词：感应耦合等离子体 “长草”效应 GAAS 背孔刻蚀形貌 
一款应用于LTE移动终端的射频功率放大器设计
《科学技术与工程》2013年第20期5801-5805,共5页王虹 周仁杰 刘洪刚 
国家自然科学基金;国家"863"计划项目资助
基于WIN InGaP/GaAsHBT工艺,设计了一款应用于LTE移动终端的射频功率放大器。工作在AB类偏置状态,由三级放大电路级联构成,并带有温度补偿和线性化的偏置电路。芯片版图面积为1410×785μm2,电源电压为3.4V。仿真结果显示:功率增益大于3...
关键词：LTE INGAP GaAs HBT 射频功率放大器 1dB压缩点 功率增益 功率附加效率 
高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究被引量：1
《物理学报》2012年第21期418-423,共6页常虎东 孙兵 卢力 赵威 王盛凯 王文新 刘洪刚 
国家重点基础研究发展计划(批准号:201 1CBA00605,2010CB327501);国家科技重大专项(批准号:2011ZX02708-003)资助的课题~~
从模拟和实验两个方面对高迁移率In_(0.6)Ga_(0.4)As沟道金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOSHEMT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件开展研究工作.研宄发现InAlAs势垒层对Ino_(0.6)Ga_(0.4)AsMOSHEMT的特性具有重要影响....
关键词：金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管 金属氧化物半导体场效应晶体管 INGAAS AL2O3 
10Gb/s光调制器InGaP/GaAs HBT驱动电路的研制被引量：1
《电子学报》2004年第11期1782-1784,共3页袁志鹏 刘洪刚 刘训春 吴德馨 
国家重大基础研究项目 (No G2 0 0 0 0 0 6830 4 0 3) ;中国科学院重大方向性项目 (No KGX2 1 0 1 )
采用自行研发的 4英寸InGaP/GaAsHBT技术 ,设计和制造了 10Gb/s光调制器驱动电路 .该驱动电路的输出电压摆幅达到 3Vpp,上升时间为 34 2ps(2 0～ 80 % ) ,下降时间为 37 8ps(2 0～ 80 % ) ,输入端的阻抗匹配良好 (S11=- 12 3dB @10GHz...
关键词：光发射机 光调制器驱动电路 INGAP/GAAS HBT 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部