表面残留颗粒对晶圆键合影响机制的研究  

Effects of Surface Residual Particles on Wafer Bonding

作　　者：许维[1,2] 王盛凯[1,2] 徐杨[2,3] 王英辉[3] 陈大鹏[3] 刘洪刚[1,2] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,北京10009 [2]中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心,北京10009 [3]中国科学院微电子研究所智能感知研发中心,北京10009

出　　处：《半导体光电》2016年第6期809-812,837,共5页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家科技重大专项项目(2011ZX02708-003)

摘　　要：着重分析了晶圆表面残留颗粒对晶圆键合的影响,并从表面残留颗粒统计意义的角度,得到了一个晶圆键合的判定标准。为了改善键合界面出现的气泡问题,一种基于点压技术的新型点压键合法被应用到整片键合中,并和传统的金金热压键合法进行了比较。实验表明,采用点压键合法能够有效抑制晶圆表面残留颗粒对晶圆键合的影响。The effects of residual particles on wafer bonding were analyzed,and then,a bonding criterion was proposed in the view of particles statics.In order to solve the problem of bubbles generated by residual particles on the surface,a new wafer bonding method,called Spot Pressing Bonding,was applied to the bonding of wafers,and then it was compared with the conventional Au-Au thermocompression bonding.The experimental results suggest that bubbles on the bonding interface can be reduced significantly by Spot Pressing Bonding.

关 键 词：晶圆键合 热压键合 点压键合法 表面粗糙度 表面清洁度 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]