王盛凯

作品数：7被引量：13H指数：2
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：微波等离子体沟道衬底含氧气体键合更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺电气工程更多>>
发文期刊：《电子元件与材料》《稀有金属与硬质合金》《焊接学报》《压电与声光》更多>>
所获基金：国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金更多>>
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PVDF压电薄膜的性能优化研究进展被引量：9
《压电与声光》2021年第4期542-549,共8页曹茜茜 魏淑华 姚沛林 张静 王艳蓉 王盛凯 
聚偏氟乙烯(PVDF)压电薄膜是一种压电高分子材料,具有广泛的科学价值和技术应用前景。PVDF薄膜因具有独特的压电效应,且质地软,灵敏度高及频响范围宽等优点,使其在能量收集、新型智能传感器、生物医学、电池隔膜等领域得到了广泛的应用...
关键词：聚偏氟乙烯 压电 Β晶型 制备工艺 化学掺杂 改性 应用 
聚咔唑对SWCNTs-TFT的电化学功能化及其应用
《电子元件与材料》2020年第6期44-49,共6页周易 王盛凯 黄奇 赵杰 梁学磊 
国家重点研发计划(2016YFA0201902);国家自然科学基金(61621061);北京市自然科学基金(Z171100002017001)。
在SWCNTs-TFT器件中沟道电流随栅极电压变化而发生的滞回可以达到320 V,且其滞回特性受栅压调控并具有随时间变化的特性。经研究,聚咔唑中的高电化学活性基团是造成器件中滞回现象和其时变特性的主要原因。利用聚咔唑筛选出半导体特性的...
关键词：聚咔唑 单壁碳纳米管 薄膜晶体管 滞回 神经形态器件 
基于Ar等离子体表面激活的Ni-Si晶圆键合工艺研究被引量：2
《稀有金属与硬质合金》2017年第3期56-58,70,共4页许维 王盛凯 刘洪刚 
国家科技重大专项(2011ZX02708-003)
利用Ar等离子体对晶圆表面进行激活处理,随后进行Ni-Si晶圆键合。研究了等离子体表面激活过程中的气体流量和反应离子刻蚀功率对晶圆键合效果的影响,并利用超声扫描显微镜图片来评估晶圆键合的质量。结果表明,等离子体表面激活处理利于...
关键词：晶圆键合 化学反应键合 Ni-Si键合 表面激活 Ar等离子体 
表面残留颗粒对晶圆键合影响机制的研究
《半导体光电》2016年第6期809-812,837,共5页许维 王盛凯 徐杨 王英辉 陈大鹏 刘洪刚 
国家科技重大专项项目(2011ZX02708-003)
着重分析了晶圆表面残留颗粒对晶圆键合的影响,并从表面残留颗粒统计意义的角度,得到了一个晶圆键合的判定标准。为了改善键合界面出现的气泡问题,一种基于点压技术的新型点压键合法被应用到整片键合中,并和传统的金金热压键合法进行了...
关键词：晶圆键合 热压键合 点压键合法 表面粗糙度 表面清洁度 
一种基于点压技术的新型晶圆键合方法
《焊接学报》2016年第9期125-128,134,共4页许维 王盛凯 徐杨 王英辉 陈大鹏 刘洪刚 
金金热压键合法在半导体制造领域中应用广泛,为了进一步改进该键合方法,首次提出了一种基于点压技术的新型晶圆键合方法,并研究了工艺温度、压强以及时间对点压键合法单点键合面积的影响.通过超声扫描显微镜图像,着重比较了传统金金热...
关键词：晶圆键合 热压键合 金金键合 点压键合法 
InP表面氮化对Al_2O_3/InP金属氧化物半导体电容界面特性及漏电特性的影响被引量：1
《真空科学与技术学报》2016年第1期110-116,共7页曹明民 林子曾 王盛凯 李琦 肖功利 高喜 刘洪刚 李海鸥 
国家自然科学基金项目(No.61274077;61474031;61464003);广西自然科学基金项目(No.2013GXNSFGA019003;2013GXNSFAA019335);中国国家重点基础研究发展计划项目(NO.2011CBA00605);"极大规模集成电路制造装备及成套工艺"科技重大专项(NO.2011ZX02708-003);桂林电子科技大学创新基金项目(YJCXS201529;GDYCSZ201448;GDYCSZ201449)
采用原子层沉积系统中自带的等离子体发生器产生N_2等离子体直接处理InP表面,系统地研究了氮化对Al_2O_3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容界面特性及栅漏电特性的影响。实验结果表明,氮化能有效降低界面缺陷密度和边界缺陷密度,抑制InP表...
关键词：N2等离子体 界面缺陷 边界缺陷 滞回 频散 漏电流 
高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究被引量：1
《物理学报》2012年第21期418-423,共6页常虎东 孙兵 卢力 赵威 王盛凯 王文新 刘洪刚 
国家重点基础研究发展计划(批准号:201 1CBA00605,2010CB327501);国家科技重大专项(批准号:2011ZX02708-003)资助的课题~~
从模拟和实验两个方面对高迁移率In_(0.6)Ga_(0.4)As沟道金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOSHEMT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件开展研究工作.研宄发现InAlAs势垒层对Ino_(0.6)Ga_(0.4)AsMOSHEMT的特性具有重要影响....
关键词：金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管 金属氧化物半导体场效应晶体管 INGAAS AL2O3 
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