杨红

作品数：3被引量：1H指数：1
导出分析报告
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：半导体器件金属栅功函数阈值电压栅极更多>>
发文领域：电子电信航空宇航科学技术更多>>
发文期刊：《半导体技术》《航空科学技术》《电子器件》更多>>
所获基金：中国航空科学基金北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
部分耗尽SOI MOSFET NBTI效应研究被引量：1
《航空科学技术》2020年第1期76-80,共5页王成成 周龙达 蒲石 王芳 杨红 曾传滨 韩郑生 罗家俊 卜建辉 
航空科学基金(201743X2001)~~
NBTI效应严重影响了器件的高温可靠性,本文对基于1.2μm工艺的PDSOI器件进行了NBTI效应研究。通过加速应力试验得到了NBTI效应对PDSOI器件阈值电压漂移的影响,其主要影响因素有应力时间、温度和栅偏压。试验中通过Vg模型对PDSOI器件进行...
关键词：负偏压温度不稳定性 PDSOI 快速测试方法 阈值电压 寿命预测 可靠性 
Al掺杂HfO2高k栅介质沉积后退火工艺研究
《电子器件》2018年第6期1362-1366,共5页李佳帅 张静 杨红 刘倩倩 闫江 
Ge基MOS器件迁移率的远程库伦散射机制的研究项目(61674003)。
为满足集成电路发展需求,通过向Hf O2掺入Al元素形成Al掺杂的Hf O2新型高k材料,并在不同的环境和温度下进行退火,研究其电学特性的变化。通过对电学参数的分析,研究Al掺杂Hf O2材料体内正电荷缺陷、k值(晶相变化)、界面层厚度、栅漏电...
关键词：微电子 Al掺杂的HfO2 退火工艺 结晶 C-V特性 高k 
高k HfO2栅介质淀积后退火工艺研究
《半导体技术》2018年第4期285-290,共6页刘倩倩 魏淑华 杨红 张静 闫江 
国家自然科学基金资助项目(61504001);北京市自然科学基金资助项目(4162023)
研究了淀积后退火（PDA）工艺（包括退火环境和退火温度）对高介电常数（k）HfO2栅介质MOS电容（MOSCAP）电学特性的影响。通过对比O2和N2环境中,不同退火温度下的HfO2栅介质MOSCAP的C-V曲线发现,高k HfO2栅介质在N2环境中退火时具有更...
关键词：HFO2 淀积后退火(PDA) C-V特性 等效氧化层厚度 平带电压 栅极泄漏电流 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部