时变击穿

作品数：5被引量：2H指数：1
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：王小娜韩汝琦杨红康晋锋任驰更多>>
相关机构：中国科学院大学北京大学中国科学院微电子研究所北京有色金属研究总院更多>>
相关期刊：《物理学报》《环境技术》《Journal of Semiconductors》《微纳电子技术》更多>>
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高k介质可靠性技术研究综述
《环境技术》2023年第3期38-43,共6页王姝雁 田郭平 
作为信息技术革命的主要驱动力之一,集成电路元器件的尺寸缩小是降低制造成本,提高器件性能最有效的方法。由于栅极厚度接近物理和技术极限,高k介质成为新栅极材料研究的重点。本文总结了高k介质的主要可靠性问题,从其测试技术、机理研...
关键词：高k介质 可靠性 时变击穿 介质恢复 
氧空位迁移造成的氧化物介质层时变击穿的蒙特卡罗模拟被引量：1
《物理学报》2017年第21期357-363,共7页栗苹 许玉堂 
基于氧空位在金属氧化物内部迁移的微观机理,利用蒙特卡罗方法建立了一种新型的可模拟金属氧化物介质时变击穿的模拟工具.利用建立的模拟工具研究了界面形成氧空位迁移功函数对介质层击穿行为的影响.该工具可应用于金属氧化物半导体晶...
关键词：氧空位 蒙特卡罗 氧化物介质 模拟 
一种MTM反熔丝器件的击穿特性
《微纳电子技术》2017年第5期293-296,318,共5页龙煌 田敏 钟汇才 
国家科技重大专项02专项资助项目(2013ZX02303007-002)
制备了一种基于高介电常数材料氧化铪(HfO2)薄膜作为核心绝缘介质层的金属-金属(MTM)反熔丝单元结构。基于此结构,使用钛(Ti)和氮化钛(TiN)分别作为MTM反熔丝结构中的过渡层和阻挡层,得到了致密、均匀、无针孔缺陷以及上下电极接触良好...
关键词：反熔丝 金属-金属(MTM) 击穿电压 时变击穿(TDDB) E模型 可靠性 
Al_2O_3高k栅介质的可靠性被引量：1
《Journal of Semiconductors》2003年第9期1005-1008,共4页杨红 康晋锋 韩德栋 任驰 夏志良 刘晓彦 韩汝琦 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (No .G2 0 0 0 0 356 )~~
利用反应溅射方法制备了等效氧化层厚度为 3 45nm的Al2 O3栅介质MOS电容 ,研究了Al2 O3作为栅介质的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿等可靠性特征 .击穿实验显示 ,样品的Al2 O3栅介质的等效击穿场强大小为1 2 8MV/cm .在时变击穿的实验...
关键词：高K栅介质 可靠性 时变击穿 
氮化H_2-O_2合成薄栅介质的击穿特性
《Journal of Semiconductors》2002年第11期1207-1210,共4页刘运龙 刘新宇 韩郑生 海潮和 钱鹤 
研究了 14～ 16nm的 H2 -O2 合成薄栅介质击穿特性 .实验发现 ,N2 O气氛氮化 H2 -O2 合成法制备的薄栅介质能够有效地提高栅介质的零时间击穿特性 .H2 -O2 合成法制备的样品 ,其击穿场强分布特性随测试 MOS电容面积的增加而变差 ,而氮化...
关键词：薄栅介质 氮化H2-03合成 零时间击穿 时变击穿 氮氧化栅 测试 
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