刘运龙

作品数：5被引量：11H指数：2
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发文主题：氮化HSOI薄栅快速热退火更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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Floating Body Effect in Partially Depleted SOI nMOSFET with Asymmetric Structure and Ge-Implantation
《Journal of Semiconductors》2002年第11期1154-1157,共4页刘运龙 刘新宇 韩郑生 海潮和 钱鹤 
The floating body effect of an asymmetric and Ge implanted partially depleted 0 8μm SOI nMOSFET is investigated.It is found that the drain breakdown voltage can be improved by about 1V and that the anomalous subthr...
关键词：SOI nMOSFET floating body effect Ge  implantation 
氮化H_2-O_2合成薄栅介质的击穿特性
《Journal of Semiconductors》2002年第11期1207-1210,共4页刘运龙 刘新宇 韩郑生 海潮和 钱鹤 
研究了 14～ 16nm的 H2 -O2 合成薄栅介质击穿特性 .实验发现 ,N2 O气氛氮化 H2 -O2 合成法制备的薄栅介质能够有效地提高栅介质的零时间击穿特性 .H2 -O2 合成法制备的样品 ,其击穿场强分布特性随测试 MOS电容面积的增加而变差 ,而氮化...
关键词：薄栅介质 氮化H2-03合成 零时间击穿 时变击穿 氮氧化栅 测试 
Simulation of a Novel Schottky Body-Contacted Structure Suppressing Floating Body Effect in Partially-Depleted SOI nMOSFET's
《Journal of Semiconductors》2002年第10期1019-1023,共5页刘运龙 刘新宇 韩郑生 海潮和 钱鹤 
A novel Schottky body-contacted structure for partially depleted SOI nMOSFET's is presented.This structure can be realized by forming a shallow n +-p junction and two sidewall spacers in the source region,and then gr...
关键词：SOI NMOSFET floating body effect body contact 
CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验被引量：7
《Journal of Semiconductors》2002年第2期213-216,共4页刘新宇 刘运龙 孙海锋 吴德馨 和致经 刘忠立 
研究了 CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能 .CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器采用 1K×4的并行结构体系 ,其地址取数时间为 30 ns,芯片尺寸为 3.6 mm× 3.84 m m ;在工作电压为 3V时 ,CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器抗总剂...
关键词：CMOS/SOI SRAM 抗总剂量辐照 实验 存储器 
氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性被引量：5
《Journal of Semiconductors》2001年第12期1596-1599,共4页刘新宇 刘运龙 孙海锋 海潮和 吴德馨 和致经 刘忠立 
对氮化 H2 - O2 合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究 ,将 H2 - O2 合成和氮氧化栅两种技术结合起来 ,充分利用两者的优点制成三层结构的 Sandwich栅 ,对比常规氧化、H2 - O2 合成氧化和氮化 H2 - O2 合成氧化三种方式及不同退火条件 ,得出...
关键词：氮化H2-O2合成 抗辐照 快速热退火 薄膜 
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