CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验  

Characteristics on Total-Dose of Radiation Hardness for CMOS/SOI 4Kb SRAM

作　　者：刘新宇[1] 刘运龙[1] 孙海锋[1] 吴德馨[1] 和致经[2] 刘忠立[2] 

机构地区：[1]中国科学院微电子中心,北京100029 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第2期213-216,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：研究了 CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能 .CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器采用 1K×4的并行结构体系 ,其地址取数时间为 30 ns,芯片尺寸为 3.6 mm× 3.84 m m ;在工作电压为 3V时 ,CMOS/ SOI 4 Kb静态随机存储器抗总剂量高达 5× 10 5Rad(Si) 。The study of total dose of radiation hardness of CMOS/SOI 4Kb static RAM's is described.CMOS/SOI 4Kb SRAM adopts 1K×4 asynchronous system.So it achieves the fast access time of 30ns with chip size of 3 6mm×3 84mm.Total dose radiation hardness is up to 5×10 5Rad(Si) at 3V power supply.

关 键 词：CMOS/SOI SRAM 抗总剂量辐照 实验 存储器 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]