薄栅介质

作品数：19被引量：17H指数：2
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超薄高k栅介质Ge-pMOSFET的电特性研究
《微电子学》2009年第4期575-579,共5页陈娟娟 徐静平 陈卫兵 
国家自然科学基金资助项目(60776016)
采用MEDICI模拟器,对高k栅介质Ge-pMOSFET的电特性进行了研究。通过考虑短沟道效应和边缘场效应,着重分析了栅介质介电常数、氧化物固定电荷密度以及沟道长度等对器件阈值电压和亚阈斜率的影响,研究认为:为获得优良的电性能,栅介质的k...
关键词：Ge-pMOSFET 高K栅介质 超薄栅介质 亚阈斜率 
超薄栅介质MOSFET直接隧穿电流自洽解模型
《固体电子学研究与进展》2007年第4期545-549,共5页许胜国 徐静平 季峰 陈卫兵 李艳萍 
国家自然科学基金(60376019);湖北省自然科学基金(2003ABA087)资助项目
采用自洽解方法求解一维薛定谔方程和二维泊松方程,得到电子的量子化能级和相应的浓度分布,利用MWKB方法计算电子隧穿几率,从而得到不同栅偏置下超薄栅介质MOSFET的直接隧穿电流模型。一维模拟结果与实验数据十分吻合,表明了模型的准确...
关键词：隧穿电流 自洽解 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 超薄栅介质 
超薄SiO_2栅介质厚度提取与分析
《Journal of Semiconductors》2004年第10期1306-1310,共5页谭静荣 许晓燕 黄如 程行之 张兴 
国家重点基础研究发展规划 (批准号 :2 0 0 0 0 3 65 );国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 70 0 4)资助项目~~
在分析半经典模型和量子模型的基础上 ,得到包括量子效应和多晶硅耗尽效应的栅氧厚度提取模型 .栅介质厚度模拟结果和椭偏仪所测实验结果吻合良好 .
关键词：超薄栅介质 量子效应 多晶硅耗尽效应 栅氧厚度 
多晶硅注氮制备4.6nm超薄栅介质
《Journal of Semiconductors》2004年第2期227-231,共5页谭静荣 许晓燕 黄如 程行之 张兴 
国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65 0 1);国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 70 0 4)资助项目~~
为了改善深亚微米 CMOS器件 p+ - poly栅中硼扩散问题 ,通过选择合适的注氮能量和剂量 ,采用多晶硅栅注氮工艺 ,既降低了硼在多晶硅栅电极中的扩散系数 ,又在栅介质内引入浓度适宜的氮 ,有效地抑制了硼在栅介质内的扩散所引起的平带电...
关键词：注氮 应力诱生泄漏电流 电介质击穿 
衬底热空穴导致的薄栅介质经时击穿的物理模型研究1
《电子科技》2002年第17期36-40,共5页刘红侠 郝跃 
该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化,首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用的结果,并对上述实验现象进行了详细的理论分析,提出了薄栅氧化层经时击穿分两步...
关键词：衬底热空穴 经时击穿 物理模型 热电子注入 空穴注入 薄栅氧化层 
氮化H_2-O_2合成薄栅介质的击穿特性
《Journal of Semiconductors》2002年第11期1207-1210,共4页刘运龙 刘新宇 韩郑生 海潮和 钱鹤 
研究了 14～ 16nm的 H2 -O2 合成薄栅介质击穿特性 .实验发现 ,N2 O气氛氮化 H2 -O2 合成法制备的薄栅介质能够有效地提高栅介质的零时间击穿特性 .H2 -O2 合成法制备的样品 ,其击穿场强分布特性随测试 MOS电容面积的增加而变差 ,而氮化...
关键词：薄栅介质 氮化H2-03合成 零时间击穿 时变击穿 氮氧化栅 测试 
薄栅介质陷阱密度的求解和相关参数的提取被引量：2
《Journal of Semiconductors》2002年第9期952-956,共5页刘红侠 郝跃 
国家高技术研究与发展计划资助项目 (No.863 -So C-Y-3 -6-1)~~
采用恒定电流应力对薄栅氧化层 MOS电容进行了 TDDB评价实验 ,提出了精确测量和表征陷阱密度及累积失效率的方法 .该方法根据电荷陷落的动态平衡方程 ,测量恒流应力下 MOS电容的栅电压变化曲线和应力前后的高频 C- V曲线变化求解陷阱密...
关键词：薄栅氧化膜 经时击穿 陷阱密度 累积失效率 CMOS集成电路 
衬底热空穴导致的薄栅介质经时击穿的物理模型研究
《电子与信息学报》2002年第7期982-986,共5页刘红侠 郝跃 
国家部级资助项目
该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化,首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用的结果,并对上述实验现象进行了详细的理论分析,提出了薄栅氧化层经时击穿分两步...
关键词：衬底热空穴 薄栅介质 物理模型 薄栅氧化层 经时击穿 
3.4nm超薄SiO_2栅介质的特性被引量：1
《电子学报》2002年第2期269-270,共2页许晓燕 谭静荣 高文钰 黄如 田大宇 张兴 
国家自然科学基金 (No .699760 0 1 ) ;国家重点基础研究专项基金 (No .2 0 0 0 0 365)
用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为 3 4nm的MOS电容样品 ,通过对样品进行I V特性和恒流应力下V t特性的测试 ,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能 ,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响 .实验结果表明 ,制备出的 3 4nmSiO2 栅介质的...
关键词：超薄栅介质 软击穿 硼扩散 二氧化碳 
薄栅介质TDDB效应被引量：4
《Journal of Semiconductors》2001年第12期1592-1595,共4页刘红侠 郝跃 
国防预研基金资助项目 (No.OOJ8.4.3 DZ0 1)~~
在恒压和恒流应力条件下测试了超薄栅氧化层的击穿特性 ,研究了 TDDB(Tim e Dependent DielectricBreakdown)的可靠性表征方法 .对相关击穿电荷量 QBD进行了实验测试和分析 .结果表明 :相关击穿电荷量 QBD除了与氧化层质量有关外 ,还与...
关键词：TDDB效应 薄栅介质 集成电路 
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