衬底热空穴导致的薄栅介质经时击穿的物理模型研究1  

STUDY ON SUBSTRATEHOT-HOLE-INDUCED PHYSICAL MODEL OF TDDB IN THIN GATE DIELECTRIC

作　　者：刘红侠[1] 郝跃[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,西安710071

出　　处：《电子科技》2002年第17期36-40,共5页Electronic Science and Technology

摘　　要：该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化,首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用的结果,并对上述实验现象进行了详细的理论分析,提出了薄栅氧化层经时击穿分两步。首先注入的热电子在薄栅氧化层中产生陷阱中心,然后空穴陷入陷阱导致薄栅氧击穿。Therolesofhotelec-tronsandholesindielectricbreakdownofthethingateoxidehavebeenquantita-tivelyinvestigatedinthispaper.Thechangesofthresholdvoltagehavebeendiscussedunderdifferentstresscondi-tions.Thispaperisthefirstreportthatpointsoutthecooperationofhotelec-tronsandholesisessentialforthetimedependentdielectricbreakdowninthingateoxide.Adetailedtheoryanalysisismadeandatwo-stepmodelsofthingateoxideispresented.Thefirststepisin-jectedhotelectronscreatetrapcentersinthingateoxide,andthesecondstepisthingateoxide,breakdowninducedbyholetrapping.

关 键 词：衬底热空穴 经时击穿 物理模型 热电子注入 空穴注入 薄栅氧化层 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]