薄栅氧化层

作品数：46被引量：93H指数：5
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重离子单粒子辐射对超薄栅氧化层可靠性影响分析
《固体电子学研究与进展》2022年第2期141-145,共5页何玉娟 雷志锋 张战刚 章晓文 杨银堂 
研究了重离子单粒子辐照(Single event effect,SEE)效应对超薄栅氧化层(1.2 nm厚度)的斜坡击穿电压(Voltage ramp dielectric breakdown,VRDB)的影响情况。采用^(209)B(i离子能量为1043.7 MeV)对65 nm CMOS电容进行(1~2)×10^(7) ion/cm...
关键词：重离子单粒子辐射 VRDB试验 超薄栅氧化层 
40nm NMOS器件沟道热载流子效应和电离总剂量效应关联分析被引量：2
《现代应用物理》2022年第1期180-185,共6页何宝平 马武英 王祖军 姚志斌 缑石龙 
国家自然科学基金资助项目(11690043,11690040)。
通过理论模拟和辐照试验,对40 nm NMOS器件在电离总剂量(total ionization dose,TID)效应和沟道热载流子(channel hot carrier,CHC)效应综合作用下二者的相关性进行了研究。研究结果表明,CHC效应和TID效应单独作用都会对纳米NMOS器件产...
关键词：电离总剂量效应 沟道热载流子效应 浅槽隔离 超薄栅氧化层 
超薄栅氧化层等离子体损伤的工艺监测被引量：6
《电子学报》2009年第5期947-950,956,共5页赵文彬 李蕾蕾 于宗光 
江苏省高技术研究项目(No.BG2007006)
随着集成电路向深亚微米、纳米技术发展,等离子体充电对制造工艺造成的影响,尤其对超薄隧道氧化层的损伤越来越显著.本文分析了等离子体工艺损伤机理以及天线效应,设计了带有多晶、孔、金属等层次天线监测结构的电容和器件,并有不同的...
关键词：栅氧化层 等离子体损伤 天线结构 工艺监测 
总剂量辐照加固的功率VDMOS器件被引量：12
《电子科技大学学报》2008年第4期621-623,共3页李泽宏 张磊 谭开洲 
国防科技重点实验室基金项目(9140C904010606)
采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据...
关键词：功率VDMOS器件 薄栅氧化层 阈值电压漂移 总剂量辐照 
动态应力下超薄栅氧化层经时击穿的可靠性评价被引量：4
《物理学报》2008年第4期2524-2528,共5页栾苏珍 刘红侠 贾仁需 
国家自然科学基金(批准号:60206006);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-05-0851);国防预研基金(批准号:51308040103)资助的课题~~
实验发现动态电压应力条件下,由于栅氧化层很薄,高电平应力时间内隧穿入氧化层的电子与陷落在氧化层中的空穴复合产生中性电子陷阱,中性电子陷阱辅助电子隧穿.由于每个周期的高电平时间较短(远远低于电荷的复合时间),隧穿到氧化层的电...
关键词：超薄栅氧化层 斜坡电压 经时击穿 
用直接隧道栅电流在线表征PMOSFET负偏压温度不稳定性
《中国集成电路》2007年第4期57-59,共3页贾高升 许铭真 
本文提出了一种在线表征负偏压温度不稳定性(NBTI,negative bias temperature insta-bility)退化的方法--直接隧道栅电流表征法(DTGCM,DT Gate Current Method)。用这种方法可以得到NBTI应力诱生在超薄栅氧化层中的缺陷密度(包括氧化层...
关键词：超薄栅氧化层 PMOSFET 负偏压温度不稳定性(NBTI) 退化 恢复效应 
一种非挥发性MNOS器件的制作
《集成电路通讯》2006年第4期7-11,共5页郭群英 黄斌 
本文介绍了非挥发性存储器的基本结构和工作原理,介绍了工艺过程中的控制要点和工艺优化的方法,给出了MNOS器件制作的工艺流程以及测试结果。
关键词：非挥发性存储器 MNOS结构 隧道效应 阀值电压 薄栅氧化层 
用DTPDO研究超薄栅氧化层的诱生缺陷
《固体电子学研究与进展》2006年第4期466-470,共5页贾高升 许铭真 谭长华 段小蓉 
国家"九七三"基础研究课题(G2000036503)的资助
应用直接隧道比例差分(DTPDO)谱技术研究了深亚微米MOS器件超薄栅氧化层的应力诱生缺陷。实验结果发现超薄栅氧化层直接隧道栅电流的比例差分谱存在明显的三个谱峰。这意味着在超薄栅氧化层退化的过程中有三种氧化层高场诱生缺陷共存。...
关键词：金属-氧化物-半导体器件 直接隧穿栅电流 比例差分谱 多缺陷 
电压应力下超薄栅氧化层n-MOSFET的击穿特性被引量：2
《物理学报》2006年第11期6118-6122,共5页马晓华 郝跃 陈海峰 曹艳荣 周鹏举 
国家863超大规模集成电路重大专项基金(批准号:2003AA1Z1630)和;国家自然科学基金(60376024)资助的课题.~~
研究了90nm工艺下栅氧化层厚度为1.4nm的n-MOSFET的击穿特性,包括V-ramp(斜坡电压)应力下器件栅电流模型和CVS(恒定电压应力)下的TDDB(经时击穿)特性,分析了电压应力下器件的失效和退化机理.发现器件的栅电流不是由单一的隧穿引起,同时...
关键词：超薄栅氧化层 斜坡电压 经时击穿 渗透 
薄栅氧化层斜坡电压TDDB击穿参数的研究
《电子器件》2006年第3期624-626,634,共4页王茂菊 李斌 章晓文 陈平 韩静 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金资助(51433030203JW091)
随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路的可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。本次实验主要是通过斜坡电压实验来研究薄栅氧化层的TDDB,测出斜坡电压时氧化层的击穿电...
关键词：薄栅氧化物 TDDB 斜坡电压法 击穿参数 
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