薄栅氧化层斜坡电压TDDB击穿参数的研究  

Voltage Ramp TDDB Test and Research of the Parameters of Breakdown

作　　者：王茂菊[1] 李斌[1] 章晓文[2] 陈平[1] 韩静[1] 

机构地区：[1]华南理工大学物理科学与技术学院,广州五山510640 [2]信息产业部电子第五研究,广州东莞510610

出　　处：《电子器件》2006年第3期624-626,634,共4页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金资助(51433030203JW091)

摘　　要：随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路的可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。本次实验主要是通过斜坡电压实验来研究薄栅氧化层的TDDB,测出斜坡电压时氧化层的击穿电压、击穿电荷以及击穿时间,研究了斜坡电压情况下,栅氧化层击穿电荷、击穿电压和外加电压斜率等击穿参数间的依赖关系。With the development of very large scale integrated circuit （VLSI）, the quality of thin gate oxide plays a very important role in the reliability of devices and circuits. TDDB（time-dependent dielectric breakdown） is a key method to value the quality of thin gate oxide. The breakdown characteristics of thin gate oxide based on 0. 5μm technology are studied under the ramped voltage accelerated testing; the relations of the charge-to-breakdown, voltage-to-breakdown and the slope of the voltage are discussed.

关 键 词：薄栅氧化物 TDDB 斜坡电压法 击穿参数 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]