总剂量辐照加固的功率VDMOS器件  

Total Dose Radiation Hardened Power VDMOS Device

作　　者：李泽宏[1] 张磊[1] 谭开洲[2] 

机构地区：[1]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054 [2]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆南坪区400060

出　　处：《电子科技大学学报》2008年第4期621-623,共3页Journal of University of Electronic Science and Technology of China

基　　金：国防科技重点实验室基金项目(9140C904010606)

摘　　要：采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据能较好吻合。对研制的功率VDMOS器件在X射线模拟源辐照总剂量972×103rad(Si)下,阈值电压仅漂移?1V。结果证明,工艺改善了功率VDMOS器件的抗总剂量辐照能力。A total dose radiation hardened power VDMOS device is fabricated by growing the thin gate SiO2 after the P-body diffusion and using a double passivation layer （Si3N4-SiO2）. The experimental results are presented and fit 2D simulation. For the specified power VDMOS device, the threshold voltage shifts is only -1 V at a x-ray total dose of 972×10^3 rad （Si）. It is demonstrated that the total dose radiation tolerance of the power VDMOS device are improved significantly.

关 键 词：功率VDMOS器件 薄栅氧化层 阈值电压漂移 总剂量辐照 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]