一种非挥发性MNOS器件的制作  

作　　者：郭群英 黄斌 

机构地区：[1]中国兵器工业第214研究所,蚌埠233042

出　　处：《集成电路通讯》2006年第4期7-11,共5页

摘　　要：本文介绍了非挥发性存储器的基本结构和工作原理,介绍了工艺过程中的控制要点和工艺优化的方法,给出了MNOS器件制作的工艺流程以及测试结果。

关 键 词：非挥发性存储器 MNOS结构 隧道效应 阀值电压 薄栅氧化层 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]