用直接隧道栅电流在线表征PMOSFET负偏压温度不稳定性  

作　　者：贾高升[1] 许铭真[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子所

出　　处：《中国集成电路》2007年第4期57-59,共3页China lntegrated Circuit

摘　　要：本文提出了一种在线表征负偏压温度不稳定性(NBTI,negative bias temperature insta-bility)退化的方法--直接隧道栅电流表征法(DTGCM,DT Gate Current Method)。用这种方法可以得到NBTI应力诱生在超薄栅氧化层中的缺陷密度(包括氧化层体陷阱密度和界面态密度),并得到PMOSFET器件阈值电压的漂移(ΔVth)信息。这种方法可以有效避免NBTI恢复效应的影响。

关 键 词：超薄栅氧化层 PMOSFET 负偏压温度不稳定性(NBTI) 退化 恢复效应 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]