氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性  

Radiation Characteristics of N_2O-Annealed H_2-O_2 Grown Oxide

作　　者：刘新宇[1] 刘运龙[1] 孙海锋[1] 海潮和[1] 吴德馨[1] 和致经[2] 刘忠立[2] 

机构地区：[1]中国科学院微电子中心,北京100029 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第12期1596-1599,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：对氮化 H2 - O2 合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究 ,将 H2 - O2 合成和氮氧化栅两种技术结合起来 ,充分利用两者的优点制成三层结构的 Sandwich栅 ,对比常规氧化、H2 - O2 合成氧化和氮化 H2 - O2 合成氧化三种方式及不同退火条件 ,得出氮化 H2 - O2 合成氧化方法抗辐照性能最佳 ,采用硅化物工艺加快速热退火是未来抗辐照工艺发展的趋势 ;并对氮化 H2 - O2The ionizing radiation characteristics of the nitrided thin gate oxide grown in H 2 O 2 ambient are presented.Considering the advantages of both H 2 O 2 oxidation and nitridation,a three layer structure 'Sandwich' gate oxide is fabricated.Compared with other methods,such as normal dry O 2 oxidation,H 2 O 2 oxidation and different annealing processing,the nitrided H 2 O 2 grown oxide,combined with silicide and RTA process,is considered to be the optimum process for radiation hard technology.Its radiation hardness mechanism is also discussed.

关 键 词：氮化H2-O2合成 抗辐照 快速热退火 薄膜 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]